Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si

Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания при $T$ = 250$^\circ$C. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константа реакции при температуре роста имеет порядок $\sim$10$^{22}$), на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100) $n$- и $p$-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными.