|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов
С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповab a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Исследуются механизмы испарения кремния (Si) с поверхности карбида кремния (SiC), выращиваемого методом замещения атомов. Предполагается, что одной из причин, вызывающих испарение Si, является возникновение упругих деформаций на этапе охлаждения образца с пленкой SiC. Теоретически показано, что под действием упругих напряжений в слое SiC возникает механохимический эффект Горского, в результате которого происходит перераспределение атомов Si и С в слое SiC, что приводит к нарушению стехиометрии пленок и асимметрии их состава по толщине слоя SiC. Для получения однородных по составу с низкой концентрацией кремниевых вакансий эпитаксиальных пленок SiC предложено их выращивать из газовой смеси монооксида углерода (CO) с трихлормоносиланом (SiHCl$_{3}$).
Поступила в редакцию: 30.12.2016
Образец цитирования:
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 43:13 (2017), 81–88; Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 631–634
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6190 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i13/p81
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 15 |
|