Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики

Показано, что у атомистического моделирования процесса индентирования пленок методом молекулярной динамики имеется ряд преимуществ на наномасштабном уровне по сравнению с традиционным моделированием методом конечных элементов. Изучены эффекты, которые обнаруживаются при таком моделировании, а именно, деламинация, растрескивание пленки под индентором, образование и распространение дислокаций. С помощью потенциала Терсоффа исследованы упругие свойства наномасштабной пленки на подложке на примере карбида кремния на кремнии SiC/Si. В частности, вычислены кривые нагрузки-разгрузки и коэффициент твердости для системы SiC/Si. Показано, что результаты моделирования качественно совпадают с полученными недавно экспериментальными данными по индентированию пленки карбида кремния на кремнии. Изучено влияние параметров потенциала Терсоффа на модуль Юнга материала на примере кремния.