Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 12, страницы 2313–2315
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.12.48590.33ks (Mi ftt8555) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники

Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов

А. С. Гращенкоa, С. А. Кукушкинab, А. В. Осиповc

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (92 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.12.48590.33ks
Аннотация: Исследованы упругие свойства наномасштабной пленки карбида кремния, выращенной на кремниевой подложке методом замещения атомов. Впервые методом наноиндентирования измерен модуль Юнга наномасштабного карбида кремния. Методами оптической профилометрии и спектральной эллипсометрии исследованы структурные характеристики пленки карбида кремния на кремнии, а именно, рассчитана шероховатость пленки и ее толщина.
Ключевые слова: наноиндентирование, атомное замещение, карбид кремния, карбид кремния на кремнии, модуль Юнга.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2811.2017/4.6
Российский научный фонд 19-72-30004
С.А. Кукушкин частично выполнял данную работу в рамках проектной части гос. задания, проект № 16.2811.2017/4.6 Министерства науки и высшего образования РФ. Экспериментальные исследования выполнялись с использованием уникальной научной установки “Физика, химия, и механика кристаллов и тонких пленок” (ИПМаш РАН, Санкт-Петербург). А.В. Осипов выполнял эту работу в рамках проекта РНФ № 19-72-30004.
Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 25.07.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 12, Pages 2310–2312
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341912014X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2313–2315; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2310–2312
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraKukOsi19}
\by А.~С.~Гращенко, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов
\paper Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2313--2315
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8555}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.12.48590.33ks}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571115}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2310--2312
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378341912014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8555
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2313
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:82
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025