Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 22–25
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49494.18272 (Mi pjtf5087) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)

С. А. Кукушкинab, А. В. Осиповa, А. В. Редьковc, Ш. Ш. Шарофидиновd

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (489 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49494.18272
Аннотация: Исследована возможность получения объемных (толщиной свыше 7 $\mu$m) эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001) без трещин. Обнаружено, что при росте на Si слой AlN растянут, а при росте на гибридной подложке SiC/Si слой AlN сжат. Установлено предельное (критическое) значение толщины полуполярного слоя AlN на подложке Si (001) ($\sim$7.5 $\mu$m). При превышении толщиной этого значения в пленке образуется ансамбль трещин, приводящий к ее полному растрескиванию и отслоению от подложки. На гибридных подложках SiC/Si получены эпитаксиальные полуполярные пленки AlN с толщиной, превышающей 40 $\mu$m, без отслоения от подложки и ее растрескивания.
Ключевые слова: эпитаксия, критическая толщина слоя AlN, гетероструктуры, нитрид алюминия, полуполярный нитрид алюминия, HVPE, карбид кремния, кремний, метод замещения атомов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А18-118012790011-3
Российский научный фонд 19-72-30004
С.А. Кукушкин и А.В. Осипов выполняли свою часть работы в рамках госзадания ФГУП ИПМаш РАН № АААА-А18-118012790011-3, А.В. Редьков осуществлял свою часть работы в рамках проекта Российского научного фонда № 19-72-30004.
Поступила в редакцию: 03.03.2020
Исправленный вариант: 03.03.2020
Принята в печать: 10.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 6, Pages 539–542
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378502006005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Ш. Ш. Шарофидинов, “Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 22–25; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 539–542
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsiRed20}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, А.~В.~Редьков, Ш.~Ш.~Шарофидинов
\paper Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 22--25
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5087}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49494.18272}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800715}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 6
\pages 539--542
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378502006005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5087
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i11/p22
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024