Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si

Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si. Исследовалась топография поверхности, пьезоэлектрический и пироэлектрический отклики пленок AlN. Результаты исследования показали, что вертикальная составляющая пьезоотклика в пленках AlN, выращенных методом ХГЭ, более однородная по площади пленки, чем в пленках AlN, выращенных методом МЛЭ. Однако сама величина сигнала у пленки AlN, синтезированной МЛЭ, оказалась выше. Экспериментально обнаружен эффект инверсии полярной оси (вектора поляризации) при переходе от пленок AlN, выращенных методом МЛЭ, к пленкам, выращенным методом ХГЭ. Показано, что полярная ось в пленках, выращенных методом МЛЭ, направлена от свободной поверхности пленки к подложке Si, тогда как в пленках, выращенных методом ХГЭ, вектор поляризации, напротив, направлен к поверхности образца.