Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии

Впервые выращен эпитаксиальный слой сульфида кадмия толщиной 300 nm на кремнии. Для этой цели использовался метод испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме. Температура подложки составляла 650$^\circ$C, время роста 4 s. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и сульфидом кадмия (константа реакции при данной температуре $\sim$10$^{3}$), а также для стравливания кремния серой, на поверхности кремния предварительно методом замещения атомов синтезирован высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$100 nm. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализ показал высокое структурное совершенство слоя CdS и отсутствие поликристаллической фазы.