Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 19, страницы 28–31
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.19.50041.18376 (Mi pjtf4977) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе

Д. Д. Авровa, А. Н. Горлякa, А. О. Лебедевab, В. В. Лучининa, А. В. Марковa, А. В. Осиповc, М. Ф. Пановa, С. А. Кукушкинd

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (177 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.19.50041.18376
Аннотация: Предложена модель количественного анализа зависимости диэлектрической проницаемости гексагональных политипов карбида кремния от энергии фотонов в диапазоне 0.7–6.5 eV. Модель, представляющая собой сумму двух осцилляторов Таук–Лорентца (основного и неосновного) с общей шириной запрещенной зоны, применяется для описания трех гексагональных политипов карбида кремния (4$H$, 15$R$, 6$H$), полученных в одном ростовом процессе. Анализируются как C-грани, так и Si-грани каждого политипа. Сделан ряд выводов о зависимости параметров осцилляторов от степени гексагональности политипа и типа грани поверхности. Самая сильная зависимость – увеличение амплитуды неосновного осциллятора с увеличением степени гексагональности политипа. Следует отметить также увеличение ширины запрещенной зоны при переходе от C-грани (000$\bar1$) к Si-грани (0001).
Ключевые слова: карбид кремния, политипы, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А18-118012790011-3
Российский научный фонд 19-72-30004
А.В. Осипов выполнял свою часть работы в рамках госзадания ФГУП ИПМаш РАН № АААА-А18-118012790011-3. С.А. Кукушкин осуществлял свою часть работы в рамках проекта Российского научного фонда № 19-72-30004.
Поступила в редакцию: 15.05.2020
Исправленный вариант: 02.07.2020
Принята в печать: 02.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 10, Pages 968–971
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020100028
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Д. Авров, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, А. В. Осипов, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 28–31; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 968–971
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvrGorLeb20}
\by Д.~Д.~Авров, А.~Н.~Горляк, А.~О.~Лебедев, В.~В.~Лучинин, А.~В.~Марков, А.~В.~Осипов, М.~Ф.~Панов, С.~А.~Кукушкин
\paper Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 19
\pages 28--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4977}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.19.50041.18376}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44257985}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 10
\pages 968--971
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020100028}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4977
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i19/p28
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:87
    PDF полного текста:55
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024