Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 21, страницы 32–35
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894 (Mi pjtf4639) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

В. О. Гридчинab, Р. Р. Резникb, К. П. Котлярab, А. С. Драгуноваac, Н. В. Крыжановскаяac, А. Ю. Серовb, С. А. Кукушкинd, Г. Э. Цырлинabe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия
d Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (561 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894
Аннотация: Впервые показана возможность выращивания нитевидных нанокристаллов InGaN с высоким содержанием In на подложках SiC/Si(111) и проведен анализ в сравнении с аналогичными структурами на подложке Si(111). Показано, что выращивание на подложке SiC/Si приводит к формированию нитевидных нанокристаллов InGaN с содержанием In на $\sim$10% меньше и большей эффективностью фотолюминесценции (в $\sim$5 раз), чем на Si.
Ключевые слова: InGaN, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, оптические свойства, спинодальный распад, карбид кремния на кремнии.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0003
Российский научный фонд 19-72-30010
Программа фундаментальных исследований НИУ ВШЭ
Работы по росту выполнены при поддержке Министерства науки и высшего образования в части государственного задания № 0791-2020-0003. Исследования образцов проведены при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-72-30010). Н.В. Крыжановская и А.С. Драгунова благодарят за поддержку Программу фундаментальных исследований НИУ ВШЭ в 2021 г.
Поступила в редакцию: 01.06.2021
Исправленный вариант: 12.07.2021
Принята в печать: 19.07.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 32–35
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriRezKot21}
\by В.~О.~Гридчин, Р.~Р.~Резник, К.~П.~Котляр, А.~С.~Драгунова, Н.~В.~Крыжановская, А.~Ю.~Серов, С.~А.~Кукушкин, Г.~Э.~Цырлин
\paper Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 21
\pages 32--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4639}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46640007}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4639
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i21/p32
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024