Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 21, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50186.18466 (Mi pjtf4943) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si

С. А. Кукушкинab, А. В. Осиповa, А. И. Романычевc, И. А. Касаткинc, А. С. Лошаченкоc

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (637 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50186.18466
Аннотация: Разработан новый метод эпитаксиального роста пленок сульфида кадмия (CdS) в метастабильной кубической фазе на подложках кремния с буферным слоем эпитаксиального карбида кремния путем атомно-слоевого осаждения. Данная фаза CdS достигается за счет низкой температуры роста ($\sim$180$^\circ$C). Идентификация кубической фазы выполнена как с помощью дифракции рентгеновских лучей, так и методом спектральной эллипсометрии за счет того, что основной пик поглощения света CdS в гексагональной фазе расщеплен на два пика: 4.9 и 5.4 eV, а в кубической фазе является нерасщепленным (вырожденным): 5.1 eV.
Ключевые слова: cульфид кадмия, карбид кремния, гетероструктуры, метод атомно-слоевого осаждения, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-12-00193
Работа выполнена в рамках проекта Российского научного фонда № 20-12-00193.
Поступила в редакцию: 14.07.2020
Исправленный вариант: 14.07.2020
Принята в печать: 22.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 11, Pages 1049–1052
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020110085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, И. А. Касаткин, А. С. Лошаченко, “Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 3–6; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1049–1052
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsiRom20}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, А.~И.~Романычев, И.~А.~Касаткин, А.~С.~Лошаченко
\paper Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 21
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4943}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50186.18466}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367760}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 1049--1052
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020110085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4943
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i21/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025