Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 6, страницы 1214–1217
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44495.432
(Mi ftt9562)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика поверхности, тонкие пленки

Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния

С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповab

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация: С помощью метода функционала плотности рассчитано взаимодействие между кремниевой вакансией и атомом углерода в кремнии, образовавшимися при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния. Показано, что кремниевая вакансия и атом углерода притягиваются друг к другу, причем притяжение в направлении 111 наиболее сильное. Установлено качественное соответствие между квантово-механической теорией и теорией на основе метода функции Грина для точечных дефектов. Делается вывод о том, что кремниевая вакансия и атом углерода образуют в кремнии связанное состояние. Эффективный коэффициент жесткости данной связи в направлении 111 оценивается как 5 eV/˚A2.
Поступила в редакцию: 29.11.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2017, Volume 59, Issue 6, Pages 1238–1241
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417060130
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1214–1217; Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1238–1241
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsi17}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов
\paper Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1214--1217
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9562}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44495.432}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29405130}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1238--1241
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417060130}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9562
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i6/p1214
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    1. Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, “Anomalous Properties of the Dislocation-Free Interface between Si(111) Substrate and 3C-SiC(111) Epitaxial Layer”, Materials, 14:1 (2020), 78  crossref
    2. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 499–504  mathnet  crossref; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509  mathnet  crossref
    3. S A Kukushkin, A V Osipov, “Mechanisms of epitaxial growth of SiC films by the method of atom substitution on the surfaces (100) and (111) of Si single crystals and on surfaces of Si films grown on single crystals Al2O3”, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 387 (2018), 012044  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:79
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025