Аннотация:
С помощью метода функционала плотности рассчитано взаимодействие между кремниевой вакансией и атомом углерода в кремнии, образовавшимися при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния. Показано, что кремниевая вакансия и атом углерода притягиваются друг к другу, причем притяжение в направлении ⟨111⟩ наиболее сильное. Установлено качественное соответствие между квантово-механической теорией и теорией на основе метода функции Грина для точечных дефектов. Делается вывод о том, что кремниевая вакансия и атом углерода образуют в кремнии связанное состояние. Эффективный коэффициент жесткости данной связи в направлении ⟨111⟩ оценивается как 5 eV/˚A2.
Образец цитирования:
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1214–1217; Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1238–1241
\RBibitem{KukOsi17}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов
\paper Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1214--1217
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9562}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44495.432}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29405130}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1238--1241
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417060130}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9562
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i6/p1214
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, “Anomalous Properties of the Dislocation-Free Interface between Si(111) Substrate and 3C-SiC(111) Epitaxial Layer”, Materials, 14:1 (2020), 78
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 499–504; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509
S A Kukushkin, A V Osipov, “Mechanisms of epitaxial growth of SiC films by the method of atom substitution on the surfaces (100) and (111) of Si single crystals and on surfaces of Si films grown on single crystals Al2O3”, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 387 (2018), 012044