|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
Ш. Ш. Шарофидиновab, С. А. Кукушкинbc, А. В. Редьковb, А. С. Гращенкоd, А. В. Осиповb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Методом хлорид-гидридной эпитаксии на Si с буферным нанослоем SiC выращена гетероструктура, состоящая из трех толстых слоев: AlN (толщина $\sim$0.72 $\mu$m), AlGaN (толщина $\sim$1.82 $\mu$m) и GaN (толщина $\sim$2.2 $\mu$m). Выращенная гетероструктура исследована методом сканирующей электронной микроскопии, методом энергодисперсионного анализа и с помощью ряда других методик. Исследования показали, что использование подложек SiC/Si позволяет выращивать пленки соединений III–V с высокой скоростью роста ($\sim$66 $\mu$m/h) без трещин и с небольшими остаточными упругими напряжениями (160 MPa).
Ключевые слова:
эпитаксия, гетероструктуры, широкозонные полупроводники, HVPE, карбид кремния, нитрид алюминия, нитрид галлия.
Поступила в редакцию: 17.04.2019 Исправленный вариант: 17.04.2019 Принята в печать: 19.04.2019
Образец цитирования:
Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 24–27; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5375 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i14/p24
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 67 | PDF полного текста: | 16 |
|