Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 18, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877 (Mi pjtf4673) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

Л. К. Марковa, С. А. Кукушкинb, И. П. Смирноваa, А. С. Павлюченкоa, А. С. Гращенкоc, А. В. Осиповb, Г. В. Святецd, А. Е. Николаевa, А. В. Сахаровa, В. В. Лундинa, А. Ф. Цацульниковae

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет
d OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
e НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (196 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877
Аннотация: Описаны методика и технология изготовления как светодиодных чипов, так и корпусированных светодиодов из AlInGaN/GaN-гетероструктур, выращенных на подложках нового типа SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектры излучения, зависимости мощности излучения и внешней квантовой эффективности от величины тока. Показано, что наличие пор в подложке SiC/Si, естественным образом формирующихся в процессе ее роста, приводит к значительному повышению квантовой эффективности светодиодов по сравнению с квантовой эффективностью светодиодов, изготовленных на кремнии без подслоя SiC.
Ключевые слова: светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, карбид кремния на кремнии, гетероструктуры AlInGaN/GaN/SiC/Si.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации FFNF-2021-0001
Санкт-Петербургский государственный университет 75746688
С.А. Кукушкин и А.В. Осипов выполняли свою часть работы при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания по контракту № FFNF-2021-0001, А.С. Гращенко выполнял свою часть работы при поддержке гранта Санкт-Петербургского государственного университета № 75746688.
Поступила в редакцию: 18.05.2021
Исправленный вариант: 18.05.2021
Принята в печать: 01.06.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2022
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785022020043
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 3–6
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarKukSmi21}
\by Л.~К.~Марков, С.~А.~Кукушкин, И.~П.~Смирнова, А.~С.~Павлюченко, А.~С.~Гращенко, А.~В.~Осипов, Г.~В.~Святец, А.~Е.~Николаев, А.~В.~Сахаров, В.~В.~Лундин, А.~Ф.~Цацульников
\paper Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 18
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4673}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321948}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4673
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i18/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024