Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 4, страницы 660–667
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.04.44266.287 (Mi ftt9603) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводники

Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si

С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповac, В. Н. Бессоловad, Е. В. Коненковаacd, В. Н. Пантелеевd

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (322 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.04.44266.287
Аннотация: Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si(111). Эффект заключается в том, что при достижении слоем GaN, растущим на AlN/SiC/Si(111) определенной толщины ∼300 nm, дислокации несоответствия первоначально, распространяющиеся вдоль оси роста слоя останавливаются и начинают двигаться в перпендикулярном к оси роста направлению. Построена теоретическая модель зарождения AlN и GaN на грани (111) SiC/Si, объясняющая эффект изменения направления движения дислокации несоответствия. Обнаружен экспериментально и объяснен теоретически эффект смены механизма зарождения с островкового для AlN на SiC/Si(111) на послойный при зарождении слоя GaN на AlN/SiC/Si.
Поступила в редакцию: 11.07.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2017, Volume 59, Issue 4, Pages 674–681
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417040114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 660–667; Phys. Solid State, 59:4 (2017), 674–681
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsiBes17}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, В.~Н.~Пантелеев
\paper Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 4
\pages 660--667
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9603}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.04.44266.287}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29257175}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 4
\pages 674--681
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417040114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9603
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i4/p660
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial Silicon Carbide on Silicon. Method of Coordinated Substitution of Atoms (A Review)”, Russ J Gen Chem, 92:4 (2022), 584  crossref
    2. Sergey Kukushkin, Andrey Osipov, Alexey Redkov, Advanced Structured Materials, 164, Mechanics and Control of Solids and Structures, 2022, 335  crossref
    3. С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок AlxGa1−xN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 363–369  mathnet  crossref; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of AlxGa1−xN films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448  mathnet  crossref
    4. Andrey Tumarkin, Alexander Gagarin, Michail Zlygostov, Evgeny Sapego, Andrey Altynnikov, “Heterostructures “Ferroelectric Film/Silicon Carbide” for High Power Microwave Applications”, Coatings, 10:3 (2020), 247  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025