Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$

Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$, выращенной новым методом замещения атомов подложки, и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1$s$, Si 2$p$ в процессе формирования интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$. Обнаружено подавление поверхностного состояния SiC с энергией связи 2.8 eV и образование индуцированного цезием состояния с энергией связи 10.5 eV. Впервые обнаружена и исследована модификация сложной структуры компонентов в спектре остовного уровня C 1$s$. Найдено, что адсорбция Cs на вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ приводит к интеркаляции островков графена на SiC(100) 4$^\circ$ атомами Cs.