Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Слипченко Сергей Олегович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 82
Научных статей: 81

Статистика просмотров:
Эта страница:369
Страницы публикаций:13327
Полные тексты:3389
Списки литературы:1497
кандидат физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person103268
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223  mathnet
2. К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями”, Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103  mathnet
2023
3. К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм”, Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644  mathnet [K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, E. V. Kuznetsov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Metal–dielectric mirror coatings for 4–5-μm quantum-cascade lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1356–S1360] 1
4. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кандратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, M. Kandratov, I. Gordeev, A. E. Grishin, A. E. Kazakova, P. S. Gavrina, K. Bakhvalov, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power multimode semiconductor lasers (976 nm) based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide and reduced vertical divergence”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S976–S983]
5. К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм”, Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373  mathnet 1
6. С. О. Слипченко, О. С. Соболева, В. С. Головин, Н. А. Пихтин, “Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки”, Квантовая электроника, 53:1 (2023),  17–24  mathnet [S. O. Slipchenko, O. S. Soboleva, V. S. Golovin, N. A. Pikhtin, “Cavity optimisation of high-power InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ=1060 nm) for efficient operation at ultrahigh pulsed pump currents”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S535–S546] 2
7. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа”, Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] 1
8. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, “Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом”, Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. A. Kryuchkov, V. A. Strelets, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, “Quasi-cw high-power laser diode mini bars (λ=976 nm) with increased length of a resonator based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S520–S526]
9. А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов”, Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5  mathnet [A. A. Podoskin, I. Shushkanov, V. V. Shamakhov, A. Rizaev, M. Kondratov, A. A. Klimov, S. V. Zazulin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Laser diodes (850nm) based on an asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructure with a bulk active region for generating high-power subnanosecond optical pulses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S513–S519]
2022
10. С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями”, Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165  mathnet [S. O. Slipchenko, D. A. Veselov, V. V. Zolotarev, A. V. Lyutetskiy, A. A. Podoskin, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power laser diodes based on InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs heterostructures with low internal optical losses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512] 7
11. В. В. Золотарев, А. Э. Ризаев, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима работы лазеров с распределенным брэгговским зеркалом”, Квантовая электроника, 52:10 (2022),  889–894  mathnet [V. V. Zolotarev, A. Rizaev, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Lateral waveguide mode selection for the development of single-mode ridge lasers with a distributed Bragg mirror”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S154–S162] 1
12. И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)”, Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798  mathnet [I. S. Shashkin, A. D. Rybkin, V. A. Kryuchkov, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, N. A. Rudova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Investigation of the quasi-cw heating dynamics of an active region of high-power semiconductor lasers (λ = 1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture (800 μm)”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S18–S24] 2
13. С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин, “Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели”, Квантовая электроника, 52:4 (2022),  343–350  mathnet [S. O. Slipchenko, V. S. Golovin, O. S. Soboleva, I. A. Lamkin, N. A. Pikhtin, “Analysis of light–current characteristics of high-power semiconductor lasers (1060 nm) in a steady-state 2D model”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 343–350  scopus] 6
14. С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой”, Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342  mathnet [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power quasi-cw semiconductor lasers (1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 340–342  scopus] 3
15. С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178  mathnet [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, P. S. Gavrina, D. A. Veselov, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “High-power mesa-stripe semiconductor lasers (910 nm) with an ultra-wide emitting aperture based on tunnel-coupled InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178  isi  scopus] 3
16. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм”, Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. A. Veselov, L. S. Efremov, V. V. Zolotarev, A. E. Kazakova, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “Vertical stacks of pulsed (100 ns) mesa-stripe semiconductor lasers with an ultra-wide (800 μm) aperture emitting kilowatt-level peak power at a wavelength of 1060 nm”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 171–173  isi  scopus] 7
2021
17. З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Л. В. Асрян, “Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1229–1235  mathnet  elib
18. А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Д. И. Курицын, В. В. Дюделев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. В. Морозов, Г. С. Соколовский, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085  mathnet  elib; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, D. I. Kuritsyn, V. V. Dyudelev, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. V. Morozov, G. S. Sokolovskii, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Quantum-cascade laser with radiation output through a textured layer”, Semiconductors, 56:1 (2022), 1–4
19. А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Н. Ю. Харин, В. Ю. Паневин, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606  mathnet  elib; A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, N. Yu. Kharin, V. Yu. Panevin, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, V. P. Evtikhiev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Surface emitting quantum-cascade ring laser”, Semiconductors, 55:7 (2021), 591–594 2
20. А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472  mathnet  elib
21. А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465  mathnet  elib; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Analysis of the threshold conditions and lasing efficiency of internally circulating modes in large rectangular cavities based on AlGaAs/GaAs/InGaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 55:5 (2021), 518–523
22. О. С. Соболева, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Изотипные гетероструктуры $n$-AlGaAs/$n$-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  427–433  mathnet; O. S. Soboleva, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Isotype $n$-AlGaAs/$n$-GaAs heterostructures optimized for efficient interband radiative recombination under current pumping”, Semiconductors, 55 (2021), s8–s13 1
23. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348  mathnet  elib; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, N. V. Voronkova, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power CW InGaAs/AlGaAs (1070 nm) lasers with a broadened lateral waveguide of a mesa-stripe structure”, Semiconductors, 55:4 (2021), 455–459 6
24. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste, “Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, H. Leiste, “Structural and spectroscopic studies of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructure layer and protoporous silicon”, Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131 1
25. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, “Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, “Spectroscopic studies of integrated GaAs/Si heterostructures”, Semiconductors, 55:1 (2021), 44–50 3
26. А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, К. А. Подгаецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50  mathnet  elib 1
27. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45  mathnet  elib; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Output optical power dynamics of semiconductor lasers (1070 nm) with a few-mode lateral waveguide of mesa-stripe design at ultrahigh drive currents”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 368–371 1
28. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин, “Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа”, Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, K. V. Bakhvalov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, V. V. Andryushkin, N. A. Pikhtin, “Optical absorption in a waveguide based on an n-type AlGaAs heterostructure”, Quantum Electron., 51:11 (2021), 987–991  isi  scopus] 2
29. Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914  mathnet  elib [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914  isi  scopus] 3
30. В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911  mathnet  elib [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911  isi  scopus] 1
31. Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908  mathnet  elib [N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908  isi  scopus] 3
32. Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286  mathnet  elib [N. A. Volkov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (λ = 1450–1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides”, Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286  isi  scopus] 5
33. Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136  mathnet  elib [N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136  isi  scopus] 5
34. П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132  mathnet  elib [P. S. Gavrina, A. A. Podoskin, E. V. Fomin, D. A. Veselov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Light–current characteristics of high-power pulsed semiconductor lasers (1060 nm) operating at increased (up to 90 °C) temperatures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 129–132  isi  scopus] 6
35. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Podoskin, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Experimental technique for studying optical absorption in waveguide layers of semiconductor laser heterostructures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 124–128  isi  scopus] 3
2020
36. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне”, ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Spectral dynamics of quantum cascade lasers generating frequency combs in the long-wavelength infrared range”, Tech. Phys., 65:8 (2020), 1281–1284 2
37. А. В. Бабичев, Д. А. Пашнев, А. Г. Гладышев, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, В. В. Дюделев, Г. С. Соколовский, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров”, Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170  mathnet  elib; A. V. Babichev, D. A. Pashnev, A. G. Gladyshev, A. S. Kurochkin, E. S. Kolodeznyi, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, V. V. Dyudelev, G. S. Sokolovskii, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Spectral characteristics of half-ring quantum-cascade lasers”, Optics and Spectroscopy, 128:8 (2020), 1187–1192 7
38. А. В. Бабичев, Д. А. Пашнев, Д. В. Денисов, А. Г. Гладышев, Ю. К. Бобрецова, С. О. Слипченко, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров”, Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700  mathnet  elib; A. V. Babichev, D. A. Pashnev, D. V. Denisov, A. G. Gladyshev, Yu. K. Bobretsova, S. O. Slipchenko, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Study of the spectra of arched-cavity quantum-cascade lasers”, Optics and Spectroscopy, 128:6 (2020), 702–706 1
39. П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, А. Е. Казакова, В. А. Капитонов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742  mathnet  elib; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, A. E. Kazakova, V. A. Kapitonov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of the spatial and current dynamics of optical loss in semiconductor laser heterostructures by optical probing”, Semiconductors, 54:8 (2020), 882–889 2
40. А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489  mathnet  elib; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Switching control model of closed-mode structures in large rectangular cavities based on AlGaAs/InGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 54:5 (2020), 581–586 2
41. О. С. Соболева, В. С. Головин, В. С. Юферев, П. С. Гаврина, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, “Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483  mathnet  elib; O. S. Soboleva, V. S. Golovin, V. S. Yuferev, P. S. Gavrina, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, “Modeling the spatial switch-on dynamics of a laser thyristor ($\lambda$ = 905 nm) based on an AlGaAs/InGaAs/GaAs multi-junction heterostructure”, Semiconductors, 54:5 (2020), 575–580 5
42. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Carrier-transport processes in $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs isotype heterostructures with a thin wide-gap AlGaAs barrier”, Semiconductors, 54:5 (2020), 529–533 2
43. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419  mathnet  elib; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Single-mode lasers (1050 nm) of mesa-stripe design based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide”, Semiconductors, 54:4 (2020), 489–494 5
44. И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413  mathnet 1
45. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, В. Ю. Мыльников, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, V. Yu. Mylnikov, A. V. Babichev, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “A study of the spatial-emission characteristics of quantum-cascade lasers for the 8-$\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1152–1155 1
46. А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, В. В. Дюделев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38  mathnet  elib; A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, V. V. Dyudelev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, G. S. Sokolovskii, A. Yu. Egorov, “Heterostructures of quantum-cascade laser for the spectral range of 4.6 $\mu$m for obtaining a continuous-wave lasing mode”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 442–445 10
47. В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125  mathnet  elib [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, N. A. Volkov, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide and an increased electron barrier”, Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125  isi  scopus] 5
48. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Тройной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003  mathnet  elib [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003  isi  scopus] 3
49. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994  mathnet  elib [V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, G. M. Savchenko, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Development and study of high-power quantum-cascade lasers emitting at 4.5 – 4.6 μm”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 989–994  isi  scopus] 9
50. Е. О. Батура, Ю. К. Бобрецова, М. В. Богданович, Д. А. Веселов, А. В. Григорьев, В. Н. Дудиков, А. М. Кот, Н. А. Пихтин, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, С. О. Слипченко, П. В. Шпак, “Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки”, Квантовая электроника, 50:9 (2020),  822–825  mathnet  elib [E. O. Batura, Yu. K. Bobretsova, M. V. Bogdanovich, D. A. Veselov, A. V. Grigor'ev, V. N. Dudikov, A. M. Kot, N. A. Pikhtin, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, S. O. Slipchenko, P. V. Shpak, “Lasing dynamics of diode-pumped Yb – Er laser with a passive Q switch exposed to high-power external light”, Quantum Electron., 50:9 (2020), 822–825  isi  scopus]
51. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров”, Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, V. A. Kryuchkov, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Leaky wave in high-power AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers”, Quantum Electron., 50:8 (2020), 722–726  isi  scopus] 1
52. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721  mathnet  elib [V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “10-W 4.6-μm quantum cascade lasers”, Quantum Electron., 50:8 (2020), 720–721  isi  scopus] 9
53. В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв, “Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ”, Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152  mathnet  elib [V. S. Golovin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Longitudinal spatial hole burning in high-power semiconductor lasers: numerical analysis”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 147–152  isi  scopus] 10
54. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, А. Д. Андреев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, Ю. К. Бобрецова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142  mathnet  elib [V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, A. D. Andreev, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, Yu. K. Bobretsova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “High-power (>1 W) room-temperature quantum-cascade lasers for the long-wavelength IR region”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 141–142  isi  scopus] 24
2019
55. А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843  mathnet  elib; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Сlosed mode features in rectangular resonators based on InGaAs/AlGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 53:6 (2019), 828–832 5
56. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823  mathnet  elib; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Specific features of carrier transport in $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ structures with a GaAs/AlGaAs heterojunction at ultrahigh current densities”, Semiconductors, 53:6 (2019), 806–813 5
57. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, Д. Д. Авров, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, S. N. Losev, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, D. D. Avrov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Generation of frequency combs by quantum cascade lasers emitting in the 8-$\mu$m wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1027–1030 2
58. А. В. Бабичев, В. В. Дюделев, А. Г. Гладышев, Д. А. Михайлов, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, В. Н. Неведомский, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, А. С. Ионов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51  mathnet  elib; A. V. Babichev, V. V. Dyudelev, A. G. Gladyshev, D. A. Mikhailov, A. S. Kurochkin, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, V. N. Nevedomskiy, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, A. S. Ionov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, G. S. Sokolovskii, A. Yu. Egorov, “High-power quantum-cascade lasers emitting in the 8-$\mu$m wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 735–738 16
59. А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, А. С. Курочкин, В. В. Дюделев, Е. С. Колодезный, Г. С. Соколовский, В. Е. Бугров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, А. С. Ионов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33  mathnet  elib; A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, A. S. Kurochkin, V. V. Dyudelev, E. S. Kolodeznyi, G. S. Sokolovskii, V. E. Bugrov, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, A. S. Ionov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Room temperature lasing of single-mode arched-cavity quantum-cascade lasers”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 398–400 17
60. П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11  mathnet  elib; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 3
61. В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1172–1174  mathnet  elib [V. V. Shamakhov, D. N. Nikolaev, V. S. Golovin, D. A. Veselov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of multimode semiconductor lasers with buried mesas”, Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174  isi  scopus] 1
62. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. Д. Андреев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм”, Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162  mathnet  elib [V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. D. Andreev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Tunable single-frequency source based on a DFB laser array for the spectral region of 1.55 μm”, Quantum Electron., 49:12 (2019), 1158–1162  isi  scopus] 2
63. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013  mathnet  elib [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  isi  scopus] 6
64. В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм”, Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803  mathnet  elib [V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “High-coupling distributed feedback lasers for the 1.55 μm spectral region”, Quantum Electron., 49:9 (2019), 801–803  isi  scopus] 1
65. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, Л. С. Вавилова, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, L. S. Vavilova, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Ultranarrow-waveguide AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 661–665  isi  scopus] 5
66. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492  isi  scopus] 3
2018
67. В. В. Дюделев, С. Н. Лосев, В. Ю. Мыльников, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, В. И. Кучинский, Г. С. Соколовский, “Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m”, Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, S. N. Losev, V. Yu. Mylnikov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, V. I. Kuchinskii, G. S. Sokolovskii, “High temperature laser generation of quantum-cascade lasers in the spectral region of 8 $\mu$m”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2291–2294 7
68. В. В. Дюделев, С. Н. Лосев, В. Ю. Мыльников, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, В. И. Кучинский, Г. С. Соколовский, “Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре”, ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, S. N. Losev, V. Yu. Mylnikov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, V. I. Kuchinskii, G. S. Sokolovskii, “Turn-on dynamics of quantum cascade lasers with a wavelength of 8100 nm at room temperature”, Tech. Phys., 63:11 (2018), 1656–1658 12
69. В. В. Дюделев, С. Н. Лосев, В. Ю. Мыльников, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, В. И. Кучинский, Г. С. Соколовский, “Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m”, Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, S. N. Losev, V. Yu. Mylnikov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, V. I. Kuchinskii, G. S. Sokolovskii, “Dual-frequency generation in quantum cascade lasers of the 8-$\mu$m spectral range”, Optics and Spectroscopy, 125:3 (2018), 402–404 24
70. И. С. Шашкин, О. С. Соболева, П. С. Гаврина, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1491–1498  mathnet  elib; I. S. Shashkin, O. S. Soboleva, P. S. Gavrina, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “All-electric laser beam control based on a quantum-confined heterostructure with an integrated distributed Bragg grating”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1595–1602 5
71. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200  isi  scopus] 13
2017
72. А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37  mathnet  elib; A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “All-optical modulator cells based on AlGaAs/GaAs/InGaAs 905-nm laser heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 101–103 3
73. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274  isi  scopus] 25
2016
74. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, Ю. К. Бобрецова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, Yu. K. Bobretsova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Study of the pulse characteristics of semiconductor lasers with a broadened waveguide at low temperatures (110–120 K)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1396–1402 8
75. Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252  mathnet  elib; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, E. A. Bechvay, V. A. Strelets, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230 8
2015
76. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097  mathnet  elib [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, Ya. V. Lubyanskiy, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Integrated high-order surface diffraction gratings for diode lasers”, Quantum Electron., 45:12 (2015), 1091–1097  isi  scopus] 18
77. Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883  mathnet  elib [D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Optimisation of cavity parameters for lasers based on AlGaInAsP/InP solid solutions (λ=1470 nm)”, Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883  isi  scopus] 2
78. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606  mathnet  elib [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606  isi  scopus] 15
79. Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600  mathnet  elib [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600  isi  scopus] 20
2014
80. Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации”, Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996  mathnet  elib [D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996  isi  scopus] 40
81. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, К. В. Бахвалов, Я. В. Лубянский, М. Г. Растегаева, И. С. Тарасов, “Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков”, Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911  mathnet  elib [V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, K. V. Bakhvalov, Ya. V. Lubyanskiy, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, “Spectral characteristics of multimode semiconductor lasers with a high-order surface diffraction grating”, Quantum Electron., 44:10 (2014), 907–911  isi  scopus] 7
2024
82. В. В. Дюделев, Е. Д. Черотченко, И. И. Врубель, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, В. Ю. Мыльников, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Бабичев, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, К. А. Подгаецкий, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, И. И. Новиков, В. И. Кучинский, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ”, УФН, 194:1 (2024),  98–105  mathnet; V. V. Dudelev, E. D. Cherotchenko, I. I. Vrubel, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, V. Yu. Mylnikov, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Babichev, A. V. Lutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, K. A. Podgaetskiy, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, I. I. Novikov, V. I. Kuchinskii, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Quantum cascade lasers for the 8-$\mu$m spectral range: technology, design, and analysis”, Phys. Usp., 67:1 (2024), 92–98  isi  scopus 3

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024