Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 10, страницы 879–883 (Mi qe16263)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)

Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Исследовано влияние параметров лазерного резонатора на ватт-амперные характеристики лазеров спектрального диапазона 1400–1600 нм на основе системы твердых растворов AlGaInAs/GaInAsP/InP. Показано, что оптимизация параметров резонатора (длины кристалла и коэффициента отражения переднего зеркала) позволяет улучшить отвод тепла от лазера, не изменяя другие лазерные характеристики. Продемонстрировано увеличение максимальной выходной оптической мощности лазера на 0.5 Вт за счет оптимизации конструкции его резонатора.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, насыщение ватт-амперной характеристики, оже-рекомбинация, лазерный резонатор.
Поступила в редакцию: 24.04.2015
Исправленный вариант: 17.07.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 10, Pages 879–883
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n10ABEH015844
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf


Образец цитирования: Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879–883 [Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16263
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i10/p879
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:350
    PDF полного текста:132
    Список литературы:33
    Первая страница:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024