Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом

Исследованы излучательные характеристики лазеров с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.5 мкм) на основе асимметричных AlGaAs/GaAs гетероструктур. Показано, что максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена тепловым разогревом и достигает 1695 мВт на токе 2350 мА при 25$^\circ$C, а максимальный кпд достигает 54.8%. Понижение рабочей температуры до -8$^\circ$C позволило повысить максимальную непрерывную мощность в маломодовом режиме до 2 Вт. При накачке импульсами тока длительностью 240 нс и амплитудой 4230 мА была получена пиковая мощность 2930 мВт. Показано, что в импульсном режиме существует область “оптического провала”, в которой наблюдается низкоэффективная лазерная генерация с режимом генерации периодической последовательности лазерных импульсов суб-нс длительности.