Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 602–606
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51026.9644 (Mi phts5016) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором

А. В. Бабичевa, Е. С. Колодезныйa, А. Г. Гладышевa, Д. В. Денисовb, Г. В. Вознюкac, М. И. Митрофановc, Н. Ю. Харинd, В. Ю. Паневинd, С. О. Слипченкоc, А. В. Лютецкийc, В. П. Евтихиевc, Л. Я. Карачинскийace, И. И. Новиковace, Н. А. Пихтинc, А. Ю. Егоровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (311 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51026.9644
Аннотация: Представлены результаты исследований квантово-каскадных лазеров с поверхностным выводом излучения через дифракционную решетку, сформированную в слоях верхней обкладки волновода методом ионно-лучевого травления. Активная область гетероструктуры лазера была сформирована на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As с двухфононным опустошением нижнего уровня в каскаде. Для лазера с диаметром кольцевого резонатора 191 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре вблизи 7.9 мкм. Величина межмодового расстояния в спектрах генерации данного типа лазеров соответствует модам шепчущей галереи.
Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия, кольцевой резонатор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-79-10285
Работа выполнена за счет гранта Российского научного фонда (проект № 20-79-10285).
Поступила в редакцию: 04.03.2021
Исправленный вариант: 12.03.2021
Принята в печать: 12.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 7, Pages 591–594
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262107006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Н. Ю. Харин, В. Ю. Паневин, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 602–606; Semiconductors, 55:7 (2021), 591–594
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabKolGla21}
\by А.~В.~Бабичев, Е.~С.~Колодезный, А.~Г.~Гладышев, Д.~В.~Денисов, Г.~В.~Вознюк, М.~И.~Митрофанов, Н.~Ю.~Харин, В.~Ю.~Паневин, С.~О.~Слипченко, А.~В.~Лютецкий, В.~П.~Евтихиев, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, Н.~А.~Пихтин, А.~Ю.~Егоров
\paper Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 602--606
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5016}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51026.9644}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46488615}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 591--594
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262107006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5016
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p602
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025