Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 12, страницы 1172–1174 (Mi qe17155)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза

В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
PDF полного текста (1118 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs создана лазерная гетероструктура AlGaAs/GaAs/GaInAs типа зарощенная меза с длиной волны излучения 1050 нм. На основе полученной гетероструктуры изготовлены и исследованы мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм. Внутренние оптические потери лазерных диодов составили 2.4 см-1. При длине резонатора лазера 2900 мкм достигнута выходная оптическая мощность в две стороны 2.1 и 23 Вт в непрерывном и импульсном режимах генерации соответственно.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, лазерный диод, гетероструктура, МОС-гидридная эпитаксия, зарощенная меза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30072
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).
Поступила в редакцию: 17.09.2019
Исправленный вариант: 02.10.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 12, Pages 1172–1174
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17135
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174 [Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17155
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i12/p1172
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:187
    PDF полного текста:33
    Список литературы:22
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024