AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом

Разработаны, изготовлены и исследованы полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1000–1100 нм на основе гетероструктур со сверхузким волноводом. Комплекс измерений включает исследования вольт-амперных и ватт-амперных характеристик, распределение интенсивности излучения в дальней зоне и внутренних оптических потерь. Показано, что лазеры со сверхузким волноводом имеют пороговую плотность тока ~75 А/см₂, внутренний квантовый выход, близкий к 100%, и внутренние оптические потери вблизи порога генерации менее 1 см^-1, что соответствует уровню стандартных гетероструктур. Показана возможность получения мощности генерации до 5 Вт в непрерывном режиме и до 30 Вт в импульсном режиме работы при расходимости излучения на полувысоте 17.8°. Установлено, что градиент токовой зависимости внутренних оптических потерь в лазерах со сверхузким волноводом может быть заметно ниже, чем в лазерах стандартной конструкции, однако их внутренний квантовый выход падает с ростом тока накачки до 40%. Показано, что использование барьерных слоев в конструкции лазера со сверхузким волноводом позволяет существенно уменьшить падение внутреннего квантового выхода.