Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1247–1252 (Mi phts6370)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP

Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (148 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследованы полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что увеличение только ширины запрещенной зоны AlGaInAs-волноводов без дополнительных барьеров приводит к росту токовых утечек в эмиттерные слои. Установлено, что введение дополнительных барьерных слоев на границе волновод-эмиттер блокирует токовые утечки в эмиттер, но ведет к росту внутренних оптических потерь с ростом тока накачки. Экспериментально продемонстрировано, что введение блокирующих слоев позволяет достичь максимальных значений внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения (92%) и оптической мощности (3.2 Вт) в непрерывном режиме генерации в полупроводниковых лазерах для безопасного для глаз диапазона длин волн (1400–1600 нм).
Поступила в редакцию: 18.02.2016
Принята в печать: 21.02.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1225–1230
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090244
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1247–1252; Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VesShaBak16}
\by Д.~А.~Веселов, И.~С.~Шашкин, К.~В.~Бахвалов, А.~В.~Лютецкий, Н.~А.~Пихтин, М.~Г.~Растегаева, С.~О.~Слипченко, Е.~А.~Бечвай, В.~А.~Стрелец, В.~В.~Шамахов, И.~С.~Тарасов
\paper К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1247--1252
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6370}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368996}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1225--1230
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616090244}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6370
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1247
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024