Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 12, страницы 1091–1097 (Mi qe16292)  

Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Лазеры

Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров

В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Проведены теоретические и экспериментальные исследования поверхностных дифракционных решеток высокого порядка дифракции, выполняющих роль распределенного брэгговского зеркала (РБЗ) в полупроводниковых лазерах (λ=1030 нм) мезаполосковой конструкции. Установлено, что интерферирующие моды излучения высших порядков (ИМИВП), распространяющиеся вне плоскости волновода, оказывают определяющее влияние на спектры отражения и пропускания РБЗ. Снижение коэффициента отражения РБЗ, связанное с повышением дифракционной эффективности данных мод, может составлять 80% и более. Теоретически показано, что интенсивность ИМИВП определяется геометрической формой штриха РБЗ. Экспериментально продемонстрировано, что данные нерезонаторные моды излучения обусловливают паразитные оптические потери на выход в резонаторе лазера. Получено, что при неоптимальной геометрической форме штриха суммарная внешняя квантовая дифференциальная интенсивность паразитного лазерного излучения может превышать 45%, что составляет больше половины генерируемой оптической мощности. Приведена оптимальная геометрическая форма штриха РБЗ – трапециевидная с минимальной шириной основания клина в глубине штриха. Экспериментально показано, что при такой геометрии происходит существенное снижение мощности ИМИВП и обеспечивается минимизация паразитных оптических потерь на выход.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, распределенная обратная связь, брэгговские решетки.
Поступила в редакцию: 04.06.2015
Исправленный вариант: 31.08.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 12, Pages 1091–1097
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n12ABEH015871
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.82.Gw


Образец цитирования: В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Я. В. Лубянский, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1091–1097 [Quantum Electron., 45:12 (2015), 1091–1097]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16292
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i12/p1091
  • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024