Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 604–606 (Mi qe16211)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Лазеры

Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Предложена методика исследования коэффициента поглощения в слоях полупроводниковых лазеров. В лазерах на основе гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии проведено исследование коэффициента поглощения при импульсной токовой накачке. Установлено, что при протекании тока накачки через исследуемый лазер в слоях гетероструктуры возникает дополнительное внутреннее оптическое поглощение. Показано, что с увеличением плотности тока накачки до 20 кА/см2 связанное с ним поглощение возрастает до 2.5 см-1. Продемонстрирована возможность исследования поглощения на свободных носителях заряда в активной области.
Ключевые слова: коэффициент поглощения, полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, импульсная накачка.
Поступила в редакцию: 11.02.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 7, Pages 604–606
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n07ABEH015782
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 78.66.-w


Образец цитирования: Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606 [Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16211
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i7/p604
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:396
    PDF полного текста:174
    Список литературы:41
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024