Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

Предложена методика исследования коэффициента поглощения в слоях полупроводниковых лазеров. В лазерах на основе гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии проведено исследование коэффициента поглощения при импульсной токовой накачке. Установлено, что при протекании тока накачки через исследуемый лазер в слоях гетероструктуры возникает дополнительное внутреннее оптическое поглощение. Показано, что с увеличением плотности тока накачки до 20 кА/см² связанное с ним поглощение возрастает до 2.5 см^-1. Продемонстрирована возможность исследования поглощения на свободных носителях заряда в активной области.