Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм

Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального стека микролинеек полупроводниковых лазеров полосковой конструкции со сверхширокой (800 мкм) апертурой. Конструкция стека содержит три микролинейки с тремя излучателями в каждой, что обеспечивает размер области излучения 2.6 × 0.4 мм. Наибольшая излучательная эффективность созданного стека составляет 2.48 Вт/А. Продемонстрированная максимальная пиковая мощность достигла 1400 Вт при накачке стека импульсами тока с амплитудой 650 А и длительностью 100 нс и была ограничена возможностями источника тока.