Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 2, страницы 31–37
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.02.44184.16247 (Mi pjtf6014) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm

А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (201 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.02.44184.16247
Аннотация: Продемонстрирована полностью оптическая ячейка на основе лазерных гетероструктур на длину волны 905 nm, работающая в режиме модулятора выходной оптической мощности за счет управляемого переключения генерации между модами резонатора Фабри–Перо и высокодобротной замкнутой модой. Достигнуты времена переключения 1.2 ns и менее при модулируемой мощности 1.6 W.
Поступила в редакцию: 22.03.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 1, Pages 101–103
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017010254
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 31–37; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 101–103
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodShaSli17}
\by А.~А.~Подоскин, И.~С.~Шашкин, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов
\paper Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 2
\pages 31--37
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6014}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.02.44184.16247}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28949514}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 1
\pages 101--103
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017010254}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6014
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i2/p31
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024