Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров

Экспериментально исследованы мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, в зависимости от длины резонатора, ширины полоскового контакта и коэффициентов отражения зеркал. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки вариации параметров резонатора полупроводникового лазера (ширина, длина и коэффициенты отражения зеркал) оказывают воздействие на насыщение ватт-амперной характеристики (ВтАХ) и максимальную оптическую мощность через влияние на такие характеристики лазера, как плотность тока и оптические потери на выход. Построена модель и проведены расчеты оптической мощности полупроводниковых лазеров с учетом зависимости внутренних оптических потерь от плотности тока накачки, распределения концентраций носителей заряда и фотонов вдоль оси резонатора. Установлено, что только введение в расчетную модель зависимости внутренних оптических потерь от плотности тока накачки обеспечивает хорошее согласие экспериментальных и расчетных ВтАХ для всех вариантов изменения параметров лазерного резонатора.