Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 86–95
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50394.9518 (Mi phts5100) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния

П. В. Серединab, Д. Л. Голощаповa, Ю. Ю. Худяковa, И. Н. Арсентьевc, Д. Н. Николаевc, Н. А. Пихтинc, С. О. Слипченкоc, H. Leisted

a Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
d Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, German
PDF полного текста (2050 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50394.9518
Аннотация: Цель работы заключалась в исследовании влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на $c$-Si, на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоя GaAs в методе MOCVD. Впервые показано, что низкотемпературный рост эпитаксиальных пленок GaAs высокого кристаллического качества может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя.
Ключевые слова: GaAs, Si, por-Si, сверхструктурный слой.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-10007
Министерство образования и науки Российской Федерации FZGU-2020-0036
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда 19-72-10007. Свою часть работы П.В. Середин выполнил при поддержке гранта Министерства науки и высшего образования Российской Федерации № FZGU-2020-0036 в рамках государственного задания вузам. Технологические исследования эпитаксиальных процессов методом MOCVD были выполнены по государственной плановой программе ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Поступила в редакцию: 03.09.2020
Исправленный вариант: 10.09.2020
Принята в печать: 10.09.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 1, Pages 122–131
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621010140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste, “Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 86–95; Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerGolKhu21}
\by П.~В.~Середин, Д.~Л.~Голощапов, Ю.~Ю.~Худяков, И.~Н.~Арсентьев, Д.~Н.~Николаев, Н.~А.~Пихтин, С.~О.~Слипченко, H.~Leiste
\paper Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 86--95
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5100}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50394.9518}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44862609}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 122--131
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621010140}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5100
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i1/p86
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024