Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 8, страницы 722–726 (Mi qe17302)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры, активные среды лазеров

Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
PDF полного текста (833 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследованы лазеры на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs спектрального диапазона 1.0 – 1.1 мкм с целью оптимизации эмиттерных слоев. Проанализировано влияние толщины и состава эмиттерных слоев на вытекание излучения из волновода лазера. Показано, что при толщинах эмиттеров 0.86 – 1.24 мкм оно практически не влияет на мощность излучения лазера. Продемонстрировано влияние длины кристалла и коэффициентов отражения зеркал лазера на вытекание излучения.
Ключевые слова: лазерные диоды, спектральный диапазон 1.0 – 1.1. мкм, вытекание излучения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30072
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект № 19-79-30072.
Поступила в редакцию: 10.03.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 8, Pages 722–726
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17323
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 722–726 [Quantum Electron., 50:8 (2020), 722–726]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17302
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i8/p722
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:173
    PDF полного текста:52
    Список литературы:32
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024