Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 344–348
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50736.9565 (Mi phts5055) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции

И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (232 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50736.9565
Аннотация: Были разработаны полупроводниковые лазеры с латеральным волноводом мезаполосковой конструкции шириной 10 мкм и исследованы их излучательные характеристики. Показано, что непрерывная оптическая мощность для лазеров с длиной резонатора 4.6 мм достигает 2.6 Вт при температуре теплоотвода 25$^\circ$C. Лазеры с меньшей длиной резонатора ($<$ 3 мм) демонстрировали меньшее значение максимальной оптической мощности, что было связано с тепловым насыщением ватт-амперной характеристики.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, излучательные характеристики, оптическая мощность, тепловое насыщение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30072
Исследования выполнены при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).
Поступила в редакцию: 01.12.2020
Исправленный вариант: 10.12.2020
Принята в печать: 10.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 4, Pages 455–459
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621040163
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 344–348; Semiconductors, 55:4 (2021), 455–459
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaLesSha21}
\by И.~С.~Шашкин, А.~Ю.~Лешко, В.~В.~Шамахов, Н.~В.~Воронкова, В.~А.~Капитонов, К.~В.~Бахвалов, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, П.~С.~Копьев
\paper Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 344--348
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5055}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50736.9565}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474713}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 455--459
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621040163}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5055
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p344
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024