Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 839–843
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47739.9058a (Mi phts5493) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров

А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (397 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47739.9058a
Аннотация: Работа посвящена исследованию особенностей формирования высокодобротных замкнутых мод, работающих на эффекте полного внутреннего отражения, в прямоугольных резонаторах большого размера (сотни–тысячи длин волн) на основе лазерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs. В работе экспериментально исследованы особенности спектрального состава излучения и пространственных конфигураций модовых структур. Также рассмотрено влияние изменения накачки и температуры на модовый состав излучения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00835 А
Работа выполнена при поддержке программы РФФИ “а” грант 18-02-00835 А.
Поступила в редакцию: 29.12.2018
Исправленный вариант: 14.01.2019
Принята в печать: 14.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 828–832
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060162
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 839–843; Semiconductors, 53:6 (2019), 828–832
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodRomSha19}
\by А.~А.~Подоскин, Д.~Н.~Романович, И.~С.~Шашкин, П.~С.~Гаврина, З.~Н.~Соколова, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин
\paper Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 839--843
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5493}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47739.9058a}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133300}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 828--832
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060162}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5493
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p839
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025