Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 7, страницы 42–45
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.07.50799.18644 (Mi pjtf4817) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки

И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (606 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.07.50799.18644
Аннотация: В области сверхвысоких уровней импульсной токовой накачки исследованы характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции. Продемонстрирована пиковая мощность 5.1 W при амплитуде тока накачки 10 A. Определены три типа пространственной динамики лазерного излучения: для начального уровня токов накачки характерно медленное ($\sim$200 ns) перестроение интенсивности вдоль выходной апертуры, для умеренных уровней токов накачки характерно наличие быстрых ($\sim$10 ns) процессов модовых перестроений, в области максимальных токов накачки перестроения не повторяются от импульса к импульсу и имеют хаотический характер.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, одномодовые лазеры, мезаполосковая конструкция, гетероструктура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30072
Исследования выполнены за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).
Поступила в редакцию: 04.12.2020
Исправленный вариант: 24.12.2020
Принята в печать: 28.12.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 5, Pages 368–371
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021040155
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 42–45; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 368–371
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaLesSha21}
\by И.~С.~Шашкин, А.~Ю.~Лешко, В.~В.~Шамахов, Д.~Н.~Романович, В.~А.~Капитонов, К.~В.~Бахвалов, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, П.~С.~Копьев
\paper Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 7
\pages 42--45
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4817}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.07.50799.18644}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46318390}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 5
\pages 368--371
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021040155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4817
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i7/p42
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024