Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 816–823
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47735.9064
(Mi phts5489)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$$n^{0}$$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик изотипных гетероструктур $n^{+}$–GaAs/$n^{0}$–GaAs/N$^{0}$–AlGaAs/N$^{+}$–AlGaAs/$n^{+}$–GaAs и гомоструктур $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs. Показано, что в гетероструктуре при обратной полярности, обеспечивающей инжекцию электронов из $n^{0}$-GaAs в N$^{0}$-AlGaAs, максимальное рабочее напряжение достигает 48 В при толщине N$^{0}$-AlGaAs слоя 1.0 мкм, а вольт-амперная характеристика гетероструктуры не имеет области отрицательного дифференциального сопротивления. Работа гомоструктуры сопровождалась переходом в область отрицательного дифференциального сопротивления при напряжении 10 В. Теоретический анализ, проведенный с использованием модели энергетического баланса, показал, что в изотипной гетероструктуре при обратной полярности область отрицательного дифференциального сопротивления отсутствует, так как в данном случае не происходит “схлопывания” домена поля, как это происходит в гомоструктурах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-08-01130 A
Работа выполнена при поддержке программы РФФИ, грант 18-08-01130 A.
Поступила в редакцию: 15.01.2019
Исправленный вариант: 20.01.2019
Принята в печать: 22.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 806–813
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060241
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$$n^{0}$$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 816–823; Semiconductors, 53:6 (2019), 806–813
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SliPodSob19}
\by С.~О.~Слипченко, А.~А.~Подоскин, О.~С.~Соболева, В.~С.~Юферев, В.~С.~Головин, П.~С.~Гаврина, Д.~Н.~Романович, И.~В.~Мирошников, Н.~А.~Пихтин
\paper Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$--$n^{0}$--$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 816--823
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5489}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47735.9064}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133296}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 806--813
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060241}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5489
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p816
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024