|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик изотипных гетероструктур $n^{+}$–GaAs/$n^{0}$–GaAs/N$^{0}$–AlGaAs/N$^{+}$–AlGaAs/$n^{+}$–GaAs и гомоструктур $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs. Показано, что в гетероструктуре при обратной полярности, обеспечивающей инжекцию электронов из $n^{0}$-GaAs в N$^{0}$-AlGaAs, максимальное рабочее напряжение достигает 48 В при толщине N$^{0}$-AlGaAs слоя 1.0 мкм, а вольт-амперная характеристика гетероструктуры не имеет области отрицательного дифференциального сопротивления. Работа гомоструктуры сопровождалась переходом в область отрицательного дифференциального сопротивления при напряжении 10 В. Теоретический анализ, проведенный с использованием модели энергетического баланса, показал, что в изотипной гетероструктуре при обратной полярности область отрицательного дифференциального сопротивления отсутствует, так как в данном случае не происходит “схлопывания” домена поля, как это происходит в гомоструктурах.
Поступила в редакцию: 15.01.2019 Исправленный вариант: 20.01.2019 Принята в печать: 22.01.2019
Образец цитирования:
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 816–823; Semiconductors, 53:6 (2019), 806–813
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5489 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p816
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 71 | PDF полного текста: | 18 |
|