Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 478–483
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49265.9341 (Mi phts5233) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

О. С. Соболева, В. С. Головин, В. С. Юферев, П. С. Гаврина, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (475 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49265.9341
Аннотация: Представлена двухмерная модель транспорта для исследования пространственной токовой динамики включения лазера-тиристора, учитывающая оптическую обратную связь, ударную ионизацию, насыщение скорости дрейфа в сильных электрических полях. Показано наличие локализации тока при включении лазера-тиристора и взаимосвязи между неоднородностью распределения тока управления в зависимости от его амплитуды и положения начальной области включения. Время включения лазера-тиристора составляет 13 нс при напряжении питания 26 В, время распространения включенного состояния на всю ширину 200 мкм полоска $\sim$65 нс, данные параметры остаются неизменными в независимости от пространственной динамики включения.
Ключевые слова: лазер-тиристор, локализация тока, AlGaAs/GaAs, ударная ионизация, транспорт в гетероструктурах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-3208.2019.8
Исследование выполнено при поддержке гранта Президента РФ для молодых кандидатов наук МК-3208.2019.8.
Поступила в редакцию: 26.12.2019
Исправленный вариант: 30.12.2019
Принята в печать: 30.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 5, Pages 575–580
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620050140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. С. Соболева, В. С. Головин, В. С. Юферев, П. С. Гаврина, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, “Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 478–483; Semiconductors, 54:5 (2020), 575–580
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobGolYuf20}
\by О.~С.~Соболева, В.~С.~Головин, В.~С.~Юферев, П.~С.~Гаврина, Н.~А.~Пихтин, С.~О.~Слипченко, А.~А.~Подоскин
\paper Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 478--483
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5233}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49265.9341}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42906061}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 575--580
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620050140}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5233
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i5/p478
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024