Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 484–489
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49266.9343 (Mi phts5234) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (239 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49266.9343
Аннотация: Представлена сосредоточенная модель динамики управляемой конкуренции высокодобротных замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера (до 1 $\times$ 1 мм и более) на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Модель рассматривает модуляцию полезной мощности замкнутой модовой структуры за счет управляемого переключения генерации на альтернативную замкнутую моду. Управление переключением генерации между замкнутыми модовыми структурами реализуется за счет изменения оптических потерь одной из структур. Изменение оптических потерь происходит за счет возрастания межзонного оптического поглощения вследствие квантоворазмерного эффекта Штарка при приложении напряжения к сегменту лазерного кристалла в области распространения замкнутой моды.
Ключевые слова: замкнутая мода, лазерная гетероструктура, квантоворазмерный эффект Штарка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00835А
Авторы А.А. Подоскин, Д.Н. Романович, И.С. Шашкин, П.С. Гаврина, З.Н. Соколова благодарят Российский фонд фундаментальных исследования за финансовую поддержку исследования (грант № 18-02-00835А).
Поступила в редакцию: 15.01.2020
Исправленный вариант: 21.01.2020
Принята в печать: 21.01.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 5, Pages 581–586
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620050097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 484–489; Semiconductors, 54:5 (2020), 581–586
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodRomSha20}
\by А.~А.~Подоскин, Д.~Н.~Романович, И.~С.~Шашкин, П.~С.~Гаврина, З.~Н.~Соколова, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин
\paper Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 484--489
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5234}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49266.9343}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42906062 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 581--586
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620050097}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5234
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i5/p484
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024