|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
1. |
Н. Н. Брагин, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, “Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP”, Квантовая электроника, 53:11 (2023), 883–886 [N. N. Bragin, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, “Features of high-power uni-traveling-carrier InGaAs/InP photodiodes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S180–S184] |
2. |
Н. В. Гультиков, К. Ю. Телегин, А. Ю. Андреев, Л. И. Шестак, В. А. Панарин, М. Ю. Старынин, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, “Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667–671 [N. V. Gultikov, K. Yu. Telegin, A. Yu. Andreev, L. I. Shestak, V. A. Panarin, M. Yu. Starynin, A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, “High-power laser diode arrays based on (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs and GaAsP/GaInP/GaAs quantum-well heterostructures”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1391–S1397] |
3. |
К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 641–644 [K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, E. V. Kuznetsov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Metal–dielectric mirror coatings for 4–5-μm quantum-cascade lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1356–S1360] |
4. |
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 53:7 (2023), 561–564 [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “New high-reliability optical transmission modules based on powerful superluminescent diodes in the spectral range 1.5 – 1.6 μm”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1246–S1251] |
5. |
К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 370–373 |
6. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 11–16 [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] |
|
2022 |
7. |
А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087 [A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, “Semiconductor lasers with improved radiation characteristics”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417] |
8. |
В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков, “Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм”, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 775–778 |
9. |
А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин, “Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 671–675 |
10. |
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов”, Квантовая электроника, 52:6 (2022), 577–579 [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes”, Quantum Electron., 52:6 (2022), 577–579 ] |
1
|
11. |
Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181 [N. A. Volkov, K. Yu. Telegin, N. V. Gultikov, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, L. I. Shestak, A. A. Kozyrev, V. A. Panarin, “Improvement of the current–voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 940–980 nm)”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181 ] |
3
|
12. |
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178 [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, P. S. Gavrina, D. A. Veselov, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “High-power mesa-stripe semiconductor lasers (910 nm) with an ultra-wide emitting aperture based on tunnel-coupled InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178 ] |
3
|
|
2021 |
13. |
А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 466–472 |
14. |
А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, К. А. Подгаецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 46–50 |
15. |
Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 912–914 [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914 ] |
3
|
16. |
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911 [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911 ] |
1
|
17. |
Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908 [N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908 ] |
3
|
18. |
Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283–286 [N. A. Volkov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (λ = 1450–1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides”, Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286 ] |
5
|
19. |
Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133–136 [N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136 ] |
5
|
20. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 124–128 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Podoskin, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Experimental technique for studying optical absorption in waveguide layers of semiconductor laser heterostructures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 124–128 ] |
3
|
|
2020 |
21. |
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1123–1125 [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, N. A. Volkov, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide and an increased electron barrier”, Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125 ] |
5
|
22. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Тройной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 50:11 (2020), 1001–1003 [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003 ] |
3
|
23. |
Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833 [D. R. Sabitov, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells”, Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833 ] |
3
|
24. |
О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов, “Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:6 (2020), 600–602 [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, V. A. Simakov, V. N. Svetogorov, R. V. Chernov, “1.5 – 1.6 μm semiconductor lasers with an asymmetric periodic optically coupled waveguide”, Quantum Electron., 50:6 (2020), 600–602 ] |
1
|
25. |
К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492 [K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492 ] |
4
|
26. |
О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков, “Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 143–146 [O. O. Bagaeva, R. R. Galiev, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, V. V. Shishkov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power single-frequency semiconductor lasers”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 143–146 ] |
7
|
|
2019 |
27. |
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 7–11 ; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 |
2
|
28. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013 [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013 ] |
6
|
29. |
Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 931–935 [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes based on asymmetric double-quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 931–935 ] |
1
|
30. |
М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева, “Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 905–908 [M. A. Ladugin, N. V. Gul'tikov, A. A. Marmalyuk, V. P. Konyaev, A. V. Solov'eva, “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908 ] |
4
|
31. |
А. С. Аникеев, Т. А. Багаев, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами”, Квантовая электроника, 49:9 (2019), 810–813 [A. S. Anikeev, T. A. Bagaev, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes of the 770–790-nm range based on semiconductor nanostructures with narrow quantum wells”, Quantum Electron., 49:9 (2019), 810–813 ] |
2
|
32. |
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, “Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 529–534 [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, “Effect of (Al)GaAs/AlGaAs quantum confinement region parameters on the threshold current density of laser diodes”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 529–534 ] |
3
|
33. |
А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519–521 [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521 ] |
1
|
34. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 49:5 (2019), 488–492 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492 ] |
3
|
|
2018 |
35. |
A. A. Andronov, A. A. Andronov, K. V. Maremianin, V. I. Pozdnjakova, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 463 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 431–435 |
7
|
36. |
М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 993–995 [M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995 ] |
5
|
37. |
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197–200 [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200 ] |
13
|
|
2017 |
38. |
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693–695 [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695 ] |
5
|
39. |
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 291–293 [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293 ] |
11
|
40. |
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 272–274 [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274 ] |
25
|
|
2016 |
41. |
И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 447–450 [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450 ] |
4
|
|
2015 |
42. |
А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Беляков, И. В. Ладенков, А. Г. Фефелов, “Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015), 235–239 ; A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211 |
16
|
43. |
Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. Ю. Чаморовский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в “ближайшем” ИК диапазоне спектра”, Квантовая электроника, 45:8 (2015), 697–700 [Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. Yu. Chamorovsky, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Semiconductor lasers with a continuous tuning range above 100 nm in the nearest IR spectral region”, Quantum Electron., 45:8 (2015), 697–700 ] |
4
|
|
2013 |
44. |
Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм”, Квантовая электроника, 43:11 (2013), 994–998 [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Broadband semiconductor optical amplifiers of the spectral range 750 – 1100 nm”, Quantum Electron., 43:11 (2013), 994–998 ] |
14
|
45. |
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013), 895–897 [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897 ] |
15
|
46. |
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822–823 [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823 ] |
2
|
47. |
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819–821 [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821 ] |
2
|
48. |
Е. В. Андреева, С. Н. Ильиченко, Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра”, Квантовая электроника, 43:8 (2013), 751–756 [E. V. Andreeva, S. N. Il'ichenko, Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes with bell-shaped spectra emitting in the range from 800 to 900 nm”, Quantum Electron., 43:8 (2013), 751–756 ] |
9
|
49. |
Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013), 509–511 [N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511 ] |
6
|
50. |
М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 407–409 [M. A. Ladugin, Yu. P. Koval', A. A. Marmalyuk, V. A. Petrovskii, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “High-power 850–870-nm pulsed lasers based on heterostructures with narrow and wide waveguides”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 407–409 ] |
15
|
|
2012 |
51. |
С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды “ближайшего” ИК диапазона с шириной спектра 100 нм”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 961–963 [S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Nearest-IR superluminescent diodes with a 100-nm spectral width”, Quantum Electron., 42:11 (2012), 961–963 ] |
3
|
52. |
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений”, Квантовая электроника, 42:1 (2012), 15–17 [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, V. A. Panarin, G. T. Mikaelyan, “Laser diode bars based on strain-compensated AlGaPAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17 ] |
12
|
|
2011 |
53. |
С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, И. А. Кукушкин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 677–680 [S. N. Il'chenko, Yu. O. Kostin, I. A. Kukushkin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes and semiconductor optical amplifiers for the spectral range 750 — 800 nm”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 677–680 ] |
7
|
|
2010 |
54. |
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 697–699 [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699 ] |
3
|
55. |
Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 682–684 [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684 ] |
5
|
|
2009 |
56. |
Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 723–726 [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726 ] |
14
|
57. |
Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18–20 [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20 ] |
3
|
|
2008 |
58. |
М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, “Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 38:11 (2008), 989–992 [M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992 ] |
11
|
|
|
|
2024 |
59. |
В. В. Дюделев, Е. Д. Черотченко, И. И. Врубель, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, В. Ю. Мыльников, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Бабичев, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, К. А. Подгаецкий, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, И. И. Новиков, В. И. Кучинский, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ”, УФН, 194:1 (2024), 98–105 ; V. V. Dudelev, E. D. Cherotchenko, I. I. Vrubel, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, V. Yu. Mylnikov, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Babichev, A. V. Lutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, K. A. Podgaetskiy, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, I. I. Novikov, V. I. Kuchinskii, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Quantum cascade lasers for the 8-$\mu$m spectral range: technology, design, and analysis”, Phys. Usp., 67:1 (2024), 92–98 |
1
|
|