Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Двуреченский Анатолий Васильевич
член-корреспондент РАН
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person56416
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, В. И. Муратов, А. В. Двуреченский, “Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением”, Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024),  692–696  mathnet; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, V. I. Muratov, A. V. Dvurechenskii, “Growth of silicene by molecular beam epitaxy on CaF$_2$/Si(111) substrates modified by electron irradiation”, JETP Letters, 119:9 (2024), 703–707
2023
2. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Обнаружение “медленного” света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом”, Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023),  240–244  mathnet; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Manifestation of “slow” light in the photocurrent spectra of Ge/Si quantum dot layers combined with a photonic crystal”, JETP Letters, 118:4 (2023), 244–248
2022
3. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, “Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613  mathnet; V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 1
2021
4. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  501–506  mathnet  elib; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Increase in the photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots by modes of a two-dimensional photonic crystal”, JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503  isi  scopus 4
5. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский, “Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  58–62  mathnet  elib; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Electron spin resonance in heterostructures with ring molecules of GeSi quantum dots”, JETP Letters, 113:1 (2021), 52–56  isi  scopus 1
6. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, А. В. Перетокин, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215  mathnet  elib 2
7. В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728  mathnet  elib; V. A. Zinov'ev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinov'eva, S. G. Cherkova, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Yu. Krupin, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, “Atomic structure and optical properties of CaSi$_2$ layers grown on CaF$_2$/Si substrates”, Semiconductors, 55:10 (2021), 808–811 5
8. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  596–601  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Effect of adhesive layers on photocurrent enhancement in near-infrared quantum-dot photodetectors coupled with metal-nanodisk arrays”, Semiconductors, 55:8 (2021), 654–659
2020
9. Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715  mathnet  elib; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 7
2019
10. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля металлическими субволновыми решетками на кремнии в ближнем ИК-диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019),  393–399  mathnet  elib; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Plasmonic field enhancement by metallic subwave lattices on silicon in the near-infrared range”, JETP Letters, 110:6 (2019), 411–416  isi  scopus 4
11. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, А. К. Гутаковский, Л. В. Кулик, А. С. Богомяков, С. Б. Эренбург, С. В. Трубина, М. Фёльсков, “Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264  mathnet  elib; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. V. Katsyuba, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. V. Kulik, A. S. Bogomyakov, S. B. Erenburg, S. V. Trubina, M. Voelskow, “Electron paramagnetic resonance in Ge/Si heterostructures with Mn-doped quantum dots”, JETP Letters, 109:4 (2019), 270–275  isi  scopus
12. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371  mathnet  elib; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 7
13. А. А. Блошкин, А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  206–210  mathnet  elib; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, “Plasmon enhancement of the electric field in mid-infrared Ge/Si quantum-dot photodetectors with different thicknesses of the active region”, Semiconductors, 53:2 (2019), 195–199 1
2018
14. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Аналитическое выражение для распределения упругой деформации, создаваемой включением в форме многогранника с произвольной собственной деформацией”, Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1761–1766  mathnet  elib; A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Analytical expression for the distribution of elastic strain created by a polyhedral inclusion with arbitrary eigenstrain”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1807–1812 1
15. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, “Локализация поверхностных плазмонных волн в гибридных фотодетекторах с металлическими субволновыми решетками”, Письма в ЖЭТФ, 108:6 (2018),  399–403  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, “Localization of surface plasmon waves in hybrid photodetectors with subwavelength metallic arrays”, JETP Letters, 108:6 (2018), 374–378  isi  scopus
16. С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350  mathnet  elib; S. A. Rudin, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, P. L. Novikov, A. V. Nenashev, E. E. Rodyakina, A. V. Dvurechenskii, “Nucleation of three-dimensional Ge islands on a patterned Si(100) surface”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461 5
17. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033  mathnet  elib; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 7
2017
18. Н. П. Степина, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 106:5 (2017),  288–292  mathnet  elib; N. P. Stepina, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots”, JETP Letters, 106:5 (2017), 308–312  isi  scopus 2
19. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017),  419–423  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 105:7 (2017), 426–429  isi  scopus 1
2016
20. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848  mathnet  elib; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826  isi  scopus 14
21. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  507–511  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Enhancement of the hole photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots with abrupt heterointerfaces”, JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482  isi  scopus 1
2015
22. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  678–682  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:9 (2015), 594–598  isi  scopus 7
23. Н. П. Степина, И. А. Верхушин, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Температурно-стимулированный переход от макро- к мезоскопическому поведению прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  344–347  mathnet  elib; N. P. Stepina, I. A. Verkhushin, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Temperature-stimulated transition from a macroscopic to a mesoscopic behavior of the hopping conductivity in a quantum-dot ensemble”, JETP Letters, 102:5 (2015), 312–315  isi  elib  scopus
24. A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Nenashev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015),  120–124  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:2 (2015), 108–112  isi  elib  scopus 8
25. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  846–850  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753  isi  elib  scopus 9
26. N. P. Stepina, V. V. Valkovskii, Yu. M. Гальперин, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, “Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping”, Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015),  24–28  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 101:1 (2015), 22–26  isi  elib  scopus 4
2014
27. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский, “Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014),  99–103  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “Bidirectional photocurrent of holes in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 100:2 (2014), 91–94  isi  elib  scopus 3
28. A. L. Vartanian, V. N. Mughnetsyan, K. A. Vardanyan, A. V. Dvurechenskii, A. A. Kirakosyan, “Influence of optical phonon confinement on two-phonon capture processes in quantum dots”, Уч. записки ЕГУ, сер. Физика и Математика, 2014, № 2,  50–53  mathnet
2011
29. А. Ю. Горнов, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, “Задача оптимального управления в системе полупроводниковых квантовых точек”, Автомат. и телемех., 2011, № 6,  108–114  mathnet  mathscinet  zmath; A. Yu. Gornov, A. V. Dvurechenskii, T. S. Zarodnyuk, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, “Problem of optimal control in the system of semiconductor quantum points”, Autom. Remote Control, 72:6 (2011), 1242–1247  isi  scopus 4
30. А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747  isi  elib  scopus 9
31. А. Ю. Горнов, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, “Вычислительная технология оптимизации двумерного управляющего импульса напряжения в системе квантовых точек”, Программные системы: теория и приложения, 2:1 (2011),  27–38  mathnet
2010
32. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  43–46  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 92:1 (2010), 36–39  isi  scopus 2
2009
33. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  621–625  mathnet; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Excitons in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 90:8 (2009), 569–573  isi  scopus 16
2007
34. А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552  mathnet; A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Bonding state of a hole in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481  isi  scopus 6
35. А. И. Якимов, Г. Ю. Михалёв, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  527–532  mathnet; A. I. Yakimov, G. Yu. Mikhalev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole states in artificial molecules formed by vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 85:9 (2007), 429–433  isi  scopus 7
2006
36. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев, “Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, “Binding of electron states in multilayer strained Ge/Si heterostructures with type-II quantum dots”, JETP Letters, 83:4 (2006), 156–161  isi  scopus 12
2005
37. А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  336–340  mathnet; A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole spin relaxation in Ge quantum dots”, JETP Letters, 82:5 (2005), 302–305  isi  scopus 9
2004
38. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев, “Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, G. Yu. Mikhalev, “The Meyer – Neldel rule in the processes of thermal emission and hole capture in Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 80:5 (2004), 321–325  scopus 9
39. А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415  mathnet; A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336  scopus 5
2003
40. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081  mathnet; N. P. Stepina, A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si”, JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591  scopus 2
41. А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, М. Н. Тимонова, “Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  276–280  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, M. N. Timonova, “Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots”, JETP Letters, 78:4 (2003), 241–245  scopus 3
42. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, “Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, “Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots”, JETP Letters, 77:7 (2003), 376–380  scopus 30
2002
43. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, “Barrier height and tunneling current in Schottky diodes with embedded layers of quantum dots”, JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106  scopus 4
2001
44. А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, “Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si”, Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001),  296–299  mathnet; A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinov'ev, Zh. V. Smagina, “Self-organization of an ensemble of Ge nanoclusters upon pulsed irradiation with low-energy ions during heteroepitaxy on Si”, JETP Letters, 74:5 (2001), 267–269  scopus 15
45. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001),  598–600  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Spatial separation of electrons in Ge/Si(001) heterostructures with quantum dots”, JETP Letters, 73:10 (2001), 529–531  scopus 23
46. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, “Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками”, УФН, 171:12 (2001),  1371–1373  mathnet; A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov, “Quantum dot Ge/Si heterostructures”, Phys. Usp., 44:12 (2001), 1304–1307  isi 8
1991
47. А. В. Двуреченский, А. А. Каранович, О. Л. Колесникова, “ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  923–927  mathnet
48. Ю. А. Манжосов, А. В. Двуреченский, Г. Д. Ивлев, “Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии”, Письма в ЖТФ, 17:10 (1991),  58–63  mathnet  isi
1990
49. А. А. Каранович, А. В. Двуреченский, И. Е. Тысченко, Г. А. Качурин, “Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1101–1103  mathnet
50. С. Н. Коляденко, А. В. Двуреченский, В. Ю. Баландин, С. П. Верходанов, Л. В. Мишина, О. А. Кулясова, “Особенности плавления монокристаллической подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе импульсным нагревом”, Письма в ЖТФ, 16:22 (1990),  11–17  mathnet  isi
1988
51. А. В. Двуреченский, В. А. Дравин, А. И. Якимов, “Прыжковая проводимость в промежуточно легированных полупроводниках”, Физика твердого тела, 30:2 (1988),  401–406  mathnet  isi
52. А. В. Двуреченский, А. А. Каранович, “Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1057–1061  mathnet
53. А. Х. Антоненко, В. В. Болотов, А. В. Двуреченский, В. А. Стучинский, В. А. Харченко, А. А. Стук, “Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  887–892  mathnet
1987
54. О. А. Кулясова, В. Ю. Баландин, А. В. Двуреченский, Л. Н. Александров, “Определение температуры плавления аморфных полупроводников по кинетике самоподдерживающейся кристаллизации”, ЖТФ, 57:12 (1987),  2397–2400  mathnet  isi
55. А. В. Двуреченский, Н. М. Игонина, Р. Гртцшель, “Распределение ионно-имплантированной примеси в кремнии после многократного импульсного электронного отжига”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  357–360  mathnet
56. А. В. Двуреченский, А. А. Каранович, Б. П. Кашников, “Дефект вакансия–примесь с пространственно разделенными компонентами в кремнии, облученном электронами”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  50–56  mathnet
1986
57. Р. Гретцшель, А. В. Двуреченский, В. П. Попов, “Фазовый переход кристалл–аморфное состояние в сильно легированном кремнии”, Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3134–3136  mathnet  isi
58. В. Ю. Баландин, А. В. Двуреченский, Л. Н. Александров, “Жидкофазная кристаллизация аморфных слоев кремния при импульсном нагреве различной длительности”, ЖТФ, 56:4 (1986),  807–810  mathnet  isi
1985
59. А. В. Двуреченский, А. А. Каранович, “Непереориентируемые дивакансии в кремнии, облученном нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1944–1948  mathnet
60. А. Н. Алешин, А. В. Двуреченский, А. Н. Ионов, И. А. Рязанцев, И. С. Шлимак, “Низкотемпературная проводимость сильно легированного аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1240–1244  mathnet
1984
61. А. В. Двуреченский, Б. П. Кашников, В. В. Супрунчик, “ЭПР дефектов в Si$\langle$Al$\rangle$, облученном большими дозами электронов”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1763–1766  mathnet
1983
62. А. В. Двуреченский, Б. П. Кашников, В. И. Панов, “Перестройка дефектов при больших дозах облучения Si электронами”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  546–548  mathnet
1979
63. А. В. Двуреченский, К. С. Мухамедьяров, В. А. Петров, В. Ю. Резник, “Спектральная излучательная способность пирографита в инфракрасной области при высоких температурах”, ТВТ, 17:5 (1979),  988–991  mathnet
64. А. В. Двуреченский, А. В. Петров, В. Ю. Резник, “Спектральный коэффициент поглощения кварцевых стекол в области их полупрозрачности при высоких температурах”, ТВТ, 17:1 (1979),  58–62  mathnet
1978
65. А. В. Двуреченский, В. А. Петров, В. Ю. Резник, “Экспериментальное исследование спектральной излучательной способности кварцевого стекла при высоких температурах”, ТВТ, 16:4 (1978),  749–754  mathnet
66. А. В. Двуреченский, В. А. Петров, В. Ю. Резник, “Температурная зависимость спектральной излучательной способности кварцевых стекол марки КИ и КСГ в ИК-области (№ 706–78 Деп. от 6 III 1978)”, ТВТ, 16:3 (1978),  665  mathnet
2021
67. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024