Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si

Исследовано влияние освещения, вызывающего межзонные переходы, на прыжковую проводимость дырок вдоль двумерного массива квантовых точек Ge в Si. Обнаружено, что фотопроводимость имеет положительный либо отрицательный знак в зависимости от исходного заполнения квантовых точек дырками. Как при освещения образца, так и после выключения света наблюдается долговременная кинетика фотопроводимости ($10^2-10^4$ c при $T=4.2$ K). Результаты обсуждаются в рамках модели, основанной на пространственном разделении неравновесных электронов и дырок из-за формирования потенциального рельефа положительно заряженными точками. В качестве дополнительного фактора для объяснения явления остаточной проводимости предлагается эффект выравнивания высот потенциальных барьеров, создаваемых заряженными квантовыми точками, за счет захвата в них фотодырок в процессе освещения и релаксации.