|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 9, страницы 1077–1081
(Mi jetpl2658)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследовано влияние освещения, вызывающего межзонные переходы, на прыжковую проводимость дырок вдоль двумерного массива квантовых точек Ge в Si. Обнаружено, что фотопроводимость имеет положительный либо отрицательный знак в зависимости от исходного заполнения квантовых точек дырками. Как при освещения образца, так и после выключения света наблюдается долговременная кинетика фотопроводимости ($10^2-10^4$ c при $T=4.2$ K). Результаты обсуждаются в рамках модели, основанной на пространственном разделении неравновесных электронов и дырок из-за формирования потенциального рельефа положительно заряженными точками. В качестве дополнительного фактора для объяснения явления остаточной проводимости предлагается эффект выравнивания высот потенциальных барьеров, создаваемых заряженными квантовыми точками, за счет захвата в них фотодырок в процессе освещения и релаксации.
Поступила в редакцию: 07.10.2003
Образец цитирования:
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1077–1081; JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2658 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i9/p1077
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 147 | PDF полного текста: | 51 | Список литературы: | 27 |
|