|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si
А. И. Якимовab, В. В. Кириенкоa, В. А. Армбристерa, А. В. Двуреченскийac a Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Обнаружено, что интеграция гетероструктур Ge/Si, содержащих слои квантовых точек Ge, с двумерными регулярными решетками субволновых отверстий в золотой пленке на поверхности полупроводника приводит к многократному (до 20 раз) усилению фототока дырок в узких областях длин волн фотонов среднего инфракрасного диапазона. Результаты объяснены возбуждением световой волной поверхностных плазмон-поляритонов на границе раздела металл-полупроводник, эффективно взаимодействущих с внутризонными переходами дырок в квантовых точках.
Поступила в редакцию: 13.02.2017 Исправленный вариант: 27.02.2017
Образец цитирования:
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017), 419–423; JETP Letters, 105:7 (2017), 426–429
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5229 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i7/p419
|
|