|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2021, том 113, выпуск 8, страницы 501–506
(Mi jetpl6404)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла
А. И. Якимовab, А. А. Блошкинbc, В. В. Кириенкоb, А. В. Двуреченскийbc, Д. Е. Уткинcb a Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Обнаружено, что встраивание слоев квантовых точек Ge/Si в двумерный фотонный кристалл (ФК) приводит к многократному (до 5 раз) усилению фототока в ближнем инфракрасном диапазоне. ФК представлял собой регулярную треугольную решетку отверстий в гетероструктуре Si/Ge/Si, выращенной на подложке кремний-на-изоляторе. Результаты объяснены возбуждением падающей световой волной планарных мод ФК, распростаняющихся вдоль слоев Ge/Si и эффективно взаимодействущих с межзонными переходами в квантовых точках.
Поступила в редакцию: 15.03.2021 Исправленный вариант: 15.03.2021 Принята в печать: 17.03.2021
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 501–506; JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6404 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v113/i8/p501
|
|