Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1346–1350
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46596.18
(Mi phts5693)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)

С. А. Рудинa, Ж. В. Смагинаa, В. А. Зиновьевa, П. Л. Новиковab, А. В. Ненашевab, Е. Е. Родякинаab, А. В. Двуреченскийab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация: Исследовано зарождение трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si в виде массива ямок округлой формы. Обнаружено, что зарождение островков Ge происходит внутри ямок с остроконечным дном и по периметру ямок с плоским дном. Данный эффект обусловлен различием в распределении упругой деформации на границе Ge/Si в зависимости от формы дна ямок. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00931-П
Российский фонд фундаментальных исследований 16-38-00851-мол-а
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 14-12-00931-П) в части разработки методов, роста структур и моделирования. Технология структурирования поверхности методом электронно-лучевой литографии разработана при поддержке РФФИ (грант № 16-38-00851-мол-а).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1457–1461
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110222
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1346–1350; Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RudSmaZin18}
\by С.~А.~Рудин, Ж.~В.~Смагина, В.~А.~Зиновьев, П.~Л.~Новиков, А.~В.~Ненашев, Е.~Е.~Родякина, А.~В.~Двуреченский
\paper Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1346--1350
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5693}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46596.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903611}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1457--1461
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110222}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5693
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1346
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024