|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
С. А. Рудинa, Ж. В. Смагинаa, В. А. Зиновьевa, П. Л. Новиковab, А. В. Ненашевab, Е. Е. Родякинаab, А. В. Двуреченскийab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследовано зарождение трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si в виде массива ямок округлой формы. Обнаружено, что зарождение островков Ge происходит внутри ямок с остроконечным дном и по периметру ямок с плоским дном. Данный эффект обусловлен различием в распределении упругой деформации на границе Ge/Si в зависимости от формы дна ямок. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1346–1350; Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5693 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1346
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 24 |
|