Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2015, том 101, выпуск 11, страницы 846–850
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15110065 (Mi jetpl4648) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа

А. И. Якимовab, В. В. Кириенкоa, А. А. Блошкинac, В. А. Армбристерa, А. В. Двуреченскийca

a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (482 kB) Список цитирования (9)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15110065
Аннотация: Методом фототоковой спектроскопии изучены электронные состояния в многослойных гетероструктурах Ge/Si с различным периодом расположения слоев квантовых точек Ge. Обнаружено увеличение энергии связи электронов при уменьшении толщины кремниевого спэйсера и растяжении слоев Si вблизи вершин нанокластеров Ge. Полученные результаты являются экспериментальным свидетельством деформационного механизма происхождения локализованных электронных состояний в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа.
Поступила в редакцию: 24.04.2015
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, Volume 101, Issue 11, Pages 750–753
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364015110119
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015), 846–850; JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakKirBlo15}
\by А.~И.~Якимов, В.~В.~Кириенко, А.~А.~Блошкин, В.~А.~Армбристер, А.~В.~Двуреченский
\paper Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 101
\issue 11
\pages 846--850
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4648}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15110065}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=23864356}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 101
\issue 11
\pages 750--753
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015110119}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000359725600006}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24007853}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84939197364}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4648
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i11/p846
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:129
    PDF полного текста:27
    Список литературы:34
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024