Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 12, страницы 845–848
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16240012
(Mi jetpl5137)
 

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками

А. Ф. Зиновьеваa, В. А. Зиновьевa, А. И. Никифоровa, В. А. Тимофеевa, А. В. Мудрыйb, А. В. Ненашевca, А. В. Двуреченскийca

a Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Беларусь
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Список литературы:
Аннотация: Исследована фотолюминесценция структур с двойными квантовыми точками (КТ), представляющими собой два вертикально-совмещенных Ge-нанокластера, в зависимости от толщины Si-слоя, разделяющего эти нанокластеры. Для структуры с оптимальной толщиной Si-слоя $d=2$ нм наблюдалось семикратное увеличение интегральной интенсивности фотолюминесценции по сравнению со структурами с большей толщиной $d$. Наблюдаемый эффект объясняется увеличением интеграла перекрытия волновых функций электрона и дырки в структуре с оптимальной толщиной спейсера. Увеличение интеграла перекрытия обеспечивается двумя факторами. Первый заключается в том, что электроны в данной структуре локализованы вблизи ребер оснований Ge-нанокластеров, и их волновые функции строятся из состояний $\Delta$ долин, ориентированных в $k$-пространстве перпендикулярно направлению роста [001]. Это приводит к увеличению вероятности проникновения электронов в Ge-области, служащие барьером для электронов. Вторым фактором является неоднородное распределение КТ в плоскости массива (001) – квантовые точки собираются в плотные группы из нескольких КТ. Сильная туннельная связь между точками в группе увеличивает вероятность нахождения дырки на краю квантовой точки, что также способствует увеличению вероятности излучательной рекомбинации.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-14031_офи_м
16-52-00160_бел_а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф16Р-061
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты # 16-29-14031 и # 16-52-00160) и Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект # Ф16Р-061).
Поступила в редакцию: 14.10.2016
Исправленный вариант: 03.11.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 12, Pages 823–826
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016240061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 845–848; JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZinZinNik16}
\by А.~Ф.~Зиновьева, В.~А.~Зиновьев, А.~И.~Никифоров, В.~А.~Тимофеев, А.~В.~Мудрый, А.~В.~Ненашев, А.~В.~Двуреченский
\paper Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с~двойными квантовыми точками
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 12
\pages 845--848
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5137}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16240012}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27509716}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 12
\pages 823--826
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016240061}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000395060600001}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85006085478}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5137
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i12/p845
  • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024