Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы

Проведены исследования люминесцентных свойств массивов пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся наноостровков Ge(Si), в том числе встроенных в двумерные фотонные кристаллы. Показано, что встраивание массива упорядоченных одиночных и групп Ge(Si) островков в фотонные кристаллы приводит к увеличению интенсивности их сигнала фотолюминесценции при температуре жидкого азота. При этом наибольший рост интенсивности (до $\sim$30 раз) наблюдается для упорядоченного массива одиночных Ge(Si) островков. Рост интенсивности связывается с взаимодействием излучения островков с радиационными модами фотонного кристалла, которое более эффективно осуществляется для массива одиночных островков. В результате сигнал люминесценции от одиночных упорядоченных островков Ge(Si), встроенных в фотонные кристаллы, наблюдается вплоть до комнатной температуры.