|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
Ж. В. Смагинаa, А. В. Новиковb, М. В. Степиховаb, В. А. Зиновьевa, Е. Е. Родякинаac, А. В. Ненашевac, С. М. Сергеевb, А. В. Перетокинbd, П. А. Кучинскаяa, М. В. Шалеевb, С. А. Гусевb, А. В. Двуреченскийac a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Новосибирский государственный университет
d Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
Аннотация:
Проведены исследования люминесцентных свойств массивов пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся наноостровков Ge(Si), в том числе встроенных в двумерные фотонные кристаллы. Показано, что встраивание массива упорядоченных одиночных и групп Ge(Si) островков в фотонные кристаллы приводит к увеличению интенсивности их сигнала фотолюминесценции при температуре жидкого азота. При этом наибольший рост интенсивности (до $\sim$30 раз) наблюдается для упорядоченного массива одиночных Ge(Si) островков. Рост интенсивности связывается с взаимодействием излучения островков с радиационными модами фотонного кристалла, которое более эффективно осуществляется для массива одиночных островков. В результате сигнал люминесценции от одиночных упорядоченных островков Ge(Si), встроенных в фотонные кристаллы, наблюдается вплоть до комнатной температуры.
Ключевые слова:
SiGe-гетероструктуры, квантовые точки, пространственное упорядочение, люминесценция, фотонный кристалл.
Поступила в редакцию: 09.03.2020 Исправленный вариант: 18.03.2020 Принята в печать: 18.03.2020
Образец цитирования:
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715; Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5185 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p708
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 18 |
|