|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 79, выпуск 7, страницы 411–415
(Mi jetpl2268)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов Институт физики полупроводников Сибирского отделения
РАН, 630690 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Методом комбинационного рассеяния света экспериментально исследованы многослойные кремниевые структуры со встроенными слоями нанокластеров Ge, сформированных импульсным воздействием пучком низкоэнергетических собственных ионов в процессе эпитаксии из молекулярных пучков. Установлено, что ионно-стимулированное зарождение и последующий рост позволяют получать нанокластеры Ge, практически не содержащие Si.
Поступила в редакцию: 24.02.2004
Образец цитирования:
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 411–415; JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2268 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i7/p411
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 202 | PDF полного текста: | 72 | Список литературы: | 38 |
|