Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 79, выпуск 7, страницы 411–415 (Mi jetpl2268)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si

А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630690 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (224 kB) Список цитирования (5)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методом комбинационного рассеяния света экспериментально исследованы многослойные кремниевые структуры со встроенными слоями нанокластеров Ge, сформированных импульсным воздействием пучком низкоэнергетических собственных ионов в процессе эпитаксии из молекулярных пучков. Установлено, что ионно-стимулированное зарождение и последующий рост позволяют получать нанокластеры Ge, практически не содержащие Si.
Поступила в редакцию: 24.02.2004
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 79, Issue 7, Pages 333–336
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1765177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.14.Hg, 61.80.-x, 68.55.-a
Образец цитирования: А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 411–415; JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DvuSmaZin04}
\by А.~В.~Двуреченский, Ж.~В.~Смагина, В.~А.~Зиновьев, В.~А.~Армбристер, В.~А.~Володин, М.~Д.~Ефремов
\paper Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 79
\issue 7
\pages 411--415
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2268}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..79..333D}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 79
\issue 7
\pages 333--336
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1765177}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20444449751}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2268
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i7/p411
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024