|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 2, страницы 113–117
(Mi jetpl3033)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследованы электрические характеристики кремниевых диодов Шоттки, содержащих массивы квантовых точек Ge (КТ). Установлено, что введение плотных слоев КТ позволяет управлять высотой потенциального барьера вблизи контакта металл — полупроводник, что является следствием формирования планарного электростатического потенциала заряженных КТ. Обнаружены осцилляции фактора неидеальности барьеров Шоттки при изменении внешнего напряжения, обусловленные туннельным прохождением дырок через дискретные уровни в квантовых точках.
Поступила в редакцию: 20.12.2001
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 113–117; JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3033 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i2/p113
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 179 | PDF полного текста: | 60 | Список литературы: | 35 |
|