Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 2, страницы 113–117 (Mi jetpl3033)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек

А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Список литературы:
Аннотация: Исследованы электрические характеристики кремниевых диодов Шоттки, содержащих массивы квантовых точек Ge (КТ). Установлено, что введение плотных слоев КТ позволяет управлять высотой потенциального барьера вблизи контакта металл — полупроводник, что является следствием формирования планарного электростатического потенциала заряженных КТ. Обнаружены осцилляции фактора неидеальности барьеров Шоттки при изменении внешнего напряжения, обусловленные туннельным прохождением дырок через дискретные уровни в квантовых точках.
Поступила в редакцию: 20.12.2001
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 75, Issue 2, Pages 102–106
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1466486
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Образец цитирования: А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 113–117; JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakDvuNik02}
\by А.~И.~Якимов, А.~В.~Двуреченский, А.~И.~Никифоров, С.~В.~Чайковский
\paper Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 75
\issue 2
\pages 113--117
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3033}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 75
\issue 2
\pages 102--106
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1466486}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0038890114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3033
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i2/p113
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:179
    PDF полного текста:60
    Список литературы:35
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024