|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 9, страницы 527–532
(Mi jetpl1025)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si
А. И. Якимов, Г. Ю. Михалёв, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского
отд. РАН
Аннотация:
В приближении сильной связи исследованы пространственная конфигурация основного состояния и энергия связи дырки в “двухатомной”искусственной молекуле, образованной вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Учтено неоднородное пространственное распределение упругих деформаций в среде, возникающих из-за различия параметров решетки Ge и Si. Расчет деформаций выполнен в рамках модели поля валентных сил с использованием межатомного потенциала Китинга. Показано, что формирование дырочных состояний определяется конкуренцией двух процессов, одним из которых является обобществление дырки при перекрытии “атомных” волновых функций, а вторым — возникновение асимметрии потенциальной энергии дырки в двух квантовых точках, вызванной наложением полей упругих деформаций от вертикально совмещенных нанокластеров Ge. Обнаружено, что при толщине слоя Si между точками Ge ($t_{\rm Si}$) больше 2.3 нм энергия связи дырки в основном состоянии системы из двух точек становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки вследствие частичной релаксации упругих напряжений при сопряжении квантовых точек и уменьшения глубины потенциальной ямы для дырок. Установлено, что существует промежуточная область значений параметра $t_{\rm Si}$, в которой ковалентная молекулярная связь разрушается, и происходит локализация дырки в одной из квантовых точек, характеризующейся наибольшими значениями деформации.
Поступила в редакцию: 15.03.2007
Образец цитирования:
А. И. Якимов, Г. Ю. Михалёв, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007), 527–532; JETP Letters, 85:9 (2007), 429–433
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1025 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i9/p527
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 196 | PDF полного текста: | 61 | Список литературы: | 43 |
|