Аннотация:
Экспериментально показано, что возбуждение межзонных оптических переходов в массивах квантовых точек Ge/n-Si(001) приводит к уменьшению концентрации электронов в зоне проводимости. Обнаруженное явление обусловлено формированием отрицательно заряженных экситонных комплексов в островках Ge и является первым экспериментальным подтверждением пространственного разделения электронов в окружающей островки кремниевой матрице.
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001), 598–600; JETP Letters, 73:10 (2001), 529–531
Serhii I. Pokutnii, Results in Physics, 71 (2025), 108191
Sergey I. Pokytnyi, Volodymyr Ya. Gayvoronsky, Springer Proceedings in Physics, 279, Nanomaterials and Nanocomposites, Nanostructure Surfaces, and Their Applications, 2023, 13
Sergey I. Pokytnyi, Volodymyr Ya. Gayvoronsky, Volodymyr N. Poroshin, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 752:1 (2023), 103
S. I. Pokytnii, A. D. Terets, Poverhn., 15(30) (2023), 23
S. I. Pokytnyi, V. Ya. Gayvoronsky, V. N. Poroshin, S. G. Ilchenko, A. D. Terets, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 765:1 (2023), 76
S. I. Pokytnyi, A. D. Terets, Poverhn., 14(29) (2022), 49
S. I. Pokutnyi, N. G. Shkoda, J. Usik, Him. Fiz. Tehnol. Poverhni, 13:4 (2022), 383
Pokutnyi S.I., Physica B, 601 (2021), 412583
В. П. Дзюба, А. В. Амосов, Ю. Н. Кульчин, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 920–924; Quantum Electron., 51:10 (2021), 920–924