|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 10, страницы 806–810
(Mi jetpl2384)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально
связанных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Экспериментально доказано существование антисвязывающего основного
состояния дырок в искусственных молекулах, образованных вертикально связанными
квантовыми точками Ge/Si. Это явление отсутствует в природных молекулах, а
также в двойных квантовых точках, содержащих электроны, и является следствием
спин-орбитального взаимодействия и деформационных эффектов в валентной зоне
вертикально совмещенных квантовых точек.
Поступила в редакцию: 13.11.2011 Исправленный вариант: 21.10.2011
Образец цитирования:
А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально
связанных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011), 806–810; JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2384 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i10/p806
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 202 | PDF полного текста: | 52 | Список литературы: | 33 |
|