Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1028–1033
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46151.8841 (Mi phts5734) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

Ж. В. Смагинаa, В. А. Зиновьевa, Г. К. Кривякинab, Е. Е. Родякинаab, П. А. Кучинскаяa, Б. И. Фоминa, А. Н. Яблонскийc, М. В. Степиховаc, А. В. Новиковc, А. В. Двуреченскийab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (920 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46151.8841
Аннотация: Разработан метод создания Ge/Si-структур с пространственно упорядоченными наноостровками при гетероэпитаксии на структурированных подложках Si(001) с квадратной решеткой ямок травления. Исследовано влияние глубины и периода расположения затравочных областей (ямок травления) на зарождение и рост Ge(Si)-наноостровков. Показано, что при изменении глубины ямок формируются как отдельные наноостровки внутри ямок, так и упорядоченные группы островков по их периметру. Обнаружено, что размеры наноостровков, формирующихся внутри ямок, увеличиваются с ростом расстояния между ямками от 1 до 4 мкм. Ярко выраженный сигнал фотолюминесценции от структур с пространственно упорядоченными квантовыми точками с периодом 1 мкм и больше наблюдается в диапазоне энергий 0.9–1.0 эВ.
Поступила в редакцию: 08.02.2018
Принята в печать: 15.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1150–1155
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1028–1033; Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmaZinKri18}
\by Ж.~В.~Смагина, В.~А.~Зиновьев, Г.~К.~Кривякин, Е.~Е.~Родякина, П.~А.~Кучинская, Б.~И.~Фомин, А.~Н.~Яблонский, М.~В.~Степихова, А.~В.~Новиков, А.~В.~Двуреченский
\paper Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1028--1033
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5734}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46151.8841}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903547}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1150--1155
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090191}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5734
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1028
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024